[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：有机半导体层和源漏电极层，其特征在于，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，且所述金属氧化物绝缘层的功函高于所述源漏电极层的功函；所述金属氧化物绝缘层设置在所述源漏电极层上并覆盖在整个基底的上方；还包括过渡金属层，所述过渡金属层设置在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间，功函高于所述源漏电极层的功函；所述源漏电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极的各个侧面上形成有所述过渡金属层，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/2-1/10；所述金属氧化物绝缘层的厚度在0.1nm-10nm之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极层的材质为铜、铝、锌或银，所述金属氧化物绝缘层的材质为氧化钼、氧化镍、氧化钨或五氧化二钒。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的材质为并五苯、富勒烯衍生物、聚噻吩类衍生物和小分子噻吩衍生物。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡金属层的材质为金或铂。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/4。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

7.一种制作如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括形成有机半导体层和源漏电极层的步骤，其特征在于，还包括：在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间形成金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层的功函高于所述源漏电极层的功函；还包括：在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间形成过渡金属层，所述过渡金属层的功函高于所述源漏电极层的功函；所述源漏电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极的各个侧面上形成有所述过渡金属层，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/2-1/10；所述金属氧化物绝缘层的厚度在0.1nm-10nm之间。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间形成过渡金属层包括：

采用真空热蒸镀沉积工艺形成金属氧化物绝缘层。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。