[发明专利]高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510335142.8 申请日: 2015-06-16
公开(公告)号: CN104916443B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 王金伟;孙涛 申请(专利权)人: 北京七一八友益电子有限责任公司
主分类号: H01G9/15 分类号: H01G9/15;H01G9/04;H01G9/07
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明,付久春
地址: 100016 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 压片 导电 聚合物 固体 电解质 钽电容 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,包括:

按6.0~8.0克/CC的压制密度将比容为6000~10000UuF.v/g、击穿电压达到250V或300V的片式钽粉末原料压制成带钽丝引出线的钽芯坯块,在1600~1800℃温度,真空度达到5×0.0004Pa的条件下对所述钽芯坯块进行真空烧结,对烧结后的钽芯坯块进行钝化处理;

在60~85℃温度下,将烧结后的所述坯块放入装有磷酸乙二醇电解液的形成槽内进行介质层的电化学形成,采用不低于4×50V或4×63V的直流电压作为形成电压、以20~50毫安/克的电流密度在所述坯块表面形成厚度不小于3000纳米或3500纳米的介质层;

将生成介质层的所述坯块,采用反复浸渍法将纳米级聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒溶液渗透到所述坯块内部空隙和在坯块表面介质层上沉积形成纳米级聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒沉积层作为阴极,具体为:采用反复浸渍法将粒径为20~50纳米固含量为0.8%~3.0%的纳米级聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒溶液渗透进已经生成介质层的所述坯块内部空隙和介质层中,在温度为120~150℃条件下进行烘干处理,使烘干后的纳米级聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒在所述介质层上沉积形成纳米级聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒沉积层作为阴极,在钽芯坯块表面介质层上形成的阴极上涂敷石墨层和银浆层作为阴极引出层;

将所述坯块的钽丝引出线焊接到对应壳号的外壳金属框架引线上,用环氧树脂封装,即制得高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器。

2.根据权利要求1所述的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,其特征在于,所述对烧结后的坯块进行钝化处理包括:

对烧结后的坯块在出炉时,分四次逐渐降低真空度,每次真空度降低幅度不大于0.25Ma,经过钝化使所述坯块不会过度增氧,使烧结后坯块上钽丝的折丝次数不小于4次。

3.根据权利要求1所述的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,其特征在于,所述将烧结后的所述坯块放入装有磷酸乙二醇电解液的形成槽内进行介质层的电化学形成,是将烧结后的所述坯块焊接到不锈钢条上,再放入装有磷酸乙二醇电解液的形成槽内进行介质层的电化学形成。

4.根据权利要求1或3所述的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,其特征在于,所述磷酸乙二醇电解液中磷酸的浓度按体积比为0.2~0.5%,乙二醇的浓度按体积比为20~50%。

5.根据权利要求1所述的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,其特征在于,所述方法进一步包括:将粒径为20~50纳米固含量为0.8%~3.0%的聚3,4-乙烯二氧噻吩颗粒溶液渗透进已经生成介质层的所述坯块内部空隙和介质层中,在温度为120~150℃条件下进行烘干处理的操作,重复进行16~26次。

6.根据权利要求1至3任一项所述的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器的制造方法,其特征在于,

所述用环氧树脂封装包括:使用阻燃的环氧树脂在150~180℃温度下,通过模塑压力机在精密模具内把所述坯块塑封成外形符合标准规定的尺寸;

所述方法还包括:对制得的所述高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器进行打印标记、引线成型、老化后检测的处理,处理后即得到最终的高电压片式导电聚合物固体电解质钽电容器。

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