[发明专利]一种LED制程中的背划方法及其形成结构

权利要求书

1.一种LED制程中的背划方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）提供一衬底，在所述衬底上表面生长外延层并制作多个LED单元；

2）利用激光聚焦在所述衬底的背面表面，形成多个杂质释放孔；

3）在与所述多个杂质释放孔对应位置，利用激光聚焦在所述衬底内部，形成多个隐形切割爆点，使所述杂质释放孔和所述隐形切割爆点连通，以将隐形切割爆点形成过程中产生的杂质通过杂质释放孔排出衬底内部，避免杂质附着于隐形切割爆点侧壁而降低LED单元的外量子效率。

2.根据权利要求1所述的一种LED制程中的背划方法，其特征在于：所述步骤2）中形成的杂质释放孔朝向外延层面的竖直延伸线位于相邻的LED单元之间。

3.根据权利要求1所述的一种LED制程中的背划方法，其特征在于：所述步骤3）中杂质释放孔与隐形切割爆点位于同一轴线上。

4.根据权利要求1所述的一种LED制程中的背划方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石平片衬底、图形化蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、玻璃衬底中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种LED制程中的背划方法，其特征在于：所述衬底背面还具有反射层，所述反射层为金属反射层、分布布拉格反射层或金属反射层和分布布拉格反射层组成的多层结构。

6.根据权利要求5所述的一种LED制程中的背划方法，其特征在于：所述金属反射层为Al层、Ag层或Au层。

7.一种LED制程中的背划方法形成结构，包括衬底，其特征在于：所述结构利用权利要求1~6所述的方法制备。