[发明专利]隧穿压力传感器

权利要求书

1.一种隧穿压力传感器，包括单元传感器、氧化硅基底（2），其特征在于：

单元传感器采用双势垒单势阱系统，势阱层夹在上部的第一势垒层（5）和下部的第二势垒层（10）中间；势阱层采用阱结构，由两端的六方氮化硼（6、8）和夹在中间的Be离子掺杂氮化硼（7）组成；第一势垒层（5）和第二势垒层（10）为石墨烯薄膜层并分别设有金属电极（4、9）；

氧化硅基底（2）顶部长有六方氮化硼衬底（3），第一势垒层（5）和第二势垒层（10）长在六方氮化硼衬底（3）上表面，氧化硅基底（2）底部设硅电极（1）；

单元传感器以N×N的方式排列于氧化硅基底（2）表面；

在第一势垒层（5）和第二势垒层（10）之间施加偏置电压V_b=0.3-0.5V，在第二层势垒（10）和硅电极（1）之间施加栅极电压V_g=14-16V。

2.根据权利要求1所述的隧穿压力传感器，其特征在于：第一势垒层（5）和第二势垒层（10）的高度均设定为V₁=285meV。

3.根据权利要求2所述的隧穿压力传感器，其特征在于：第一势垒层（5）与势阱层的有效接触部分是截面为半圆的柱体，半径设定为D₁=80nm; 第二势垒层（10）与势阱层的有效接触部分是圆柱体， 半径设定为D₂=120nm。

4.根据权利要求3所述的隧穿压力传感器，其特征在于：势阱层的总厚度设定为12个原子层厚，半径设定为d=120nm，势阱层中三层子阱结构的厚度均匀分布。