[发明专利]氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510335626.2 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105185744B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈功;林素慧;张家宏;彭康伟;许圣贤;刘传桂;林潇雄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/268;H01L33/00;B23K26/36 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化镓基发光二极管芯片 隐形切割 副产物 制备 激光 发光二极管 孔洞折射率 侧壁出光 衬底背面 出光效率 发光效率 激光划痕 激光能量 激光频率 孔洞贯穿 光取出 光吸收 位置处 有效地 粗化 排出 烧痕 烧蚀 碎屑 轴向 聚焦 侧面 | ||
1.氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，制作步骤如下：
（1）提供一种衬底；
（2）在所述衬底上形成外延层；
（3）在衬底内部通过激光隐形切割得到烧蚀孔洞；
（4）通过光罩、蚀刻工艺，制作P、N电极；
（5）经过研磨、劈裂工艺，制得发光二极管芯片；
其特征在于：步骤（3）所述激光隐形切割在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，调整激光能量到0.32W~0.6W，调整激光频率在15KHz~40KHz，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，利于烧痕、碎屑副产物排出，减少吸光。
2.根据权利要求 1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述外延层包括N-GaN层、发光层和P-GaN层。
3.根据权利要求 1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述外延层设有网络状结构的切割道。
4.根据权利要求 3所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述切割道由纵向直线切割道和横向直线切割道构成。
5.根据权利要求 3所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述激光隐形切割在衬底内烧蚀位置在垂直方向上与切割道位置上下一致。
6.根据权利要求 1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述孔洞的间距为8μm~20μm。
7.根据权利要求 1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述孔洞的大小为1μm~4μm。
8.根据权利要求 1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述衬底背面设有分布布拉格反射层。
9.氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：通过上述权利要求1至8中任一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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