[发明专利]有机发光装置及该装置的制造方法有效
申请号: | 201510336507.9 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN105321980B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 盐原悟;坂口清文;松田阳次郎;水野信贵 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 制造 方法 | ||
1.有机发光装置,包括:
基板;和
发光元件,
该发光元件包括:
在该基板上依次设置的下部电极、包括发光层的有机化合物层、和上部电极,
其中:
该有机化合物层覆盖该下部电极;
该上部电极覆盖该有机化合物层;
有机化合物层的各端部被上部电极覆盖;
将该上部电极与基板中设置的配线连接部电连接;和
该有机化合物层的至少部分区域中的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ1表示时,该有机化合物层的端部在横向置于基板的端部和下部电极的端部之间,满足下式(1)和(2):
tan(θ1)=d1/d2 (1)
tan(θ1)≥0.2 (2)
式(1)中,d1表示该有机化合物层的厚度并且d2表示该有机化合物层的端部的截面的锥形宽度;
且该有机化合物层的另一端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θa表示,
该有机化合物层的另一端部在横向置于基板的另一端部和下部电极的另一端部之间;
tan(θa)=d′1/d′2 (1′)
tan(θa)≥0.2 (2′),
在(1′)中,d′1表示该有机化合物层的厚度并且d′2表示该有机化合物层的另一端部的截面的锥形宽度。
2.根据权利要求1的有机发光装置,其中该上部电极的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ2表示时,满足下式(3)和(4):
tan(θ2)=d3/d4 (3)
tan(θ2)≥0.2 (4)
式(3)中,d3表示该上部电极的厚度并且d4表示该上部电极的端部的截面的锥形宽度。
3.根据权利要求1的有机发光装置,其中:
该上部电极包括第一上部电极层和该第一上部电极层上的第二上部电极层;
该有机化合物层的平面图案与该第一上部电极层的平面图案基本上相同;
该第二上部电极层的至少一部分与该第一上部电极层重叠;和
该第二上部电极层在该第二上部电极层不与该第一上部电极层重叠的区域中与基板中设置的配线连接部电连接。
4.根据权利要求3的有机发光装置,其中该第一上部电极层的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ3表示时,满足下式(5)和(6):
tan(θ3)=d5/d6 (5)
tan(θ3)≥0.2 (6)
式(5)中,d5表示该第一上部电极层的厚度并且d6表示该第一上部电极层的端部的截面的锥形宽度。
5.根据权利要求3的有机发光装置,其中该第二上部电极层的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ4表示时,满足下式(7)和(8):
tan(θ4)=d7/d8 (7)
tan(θ4)≥0.2 (8)
式(7)中,d7表示该第二上部电极层的厚度并且d8表示该第二上部电极层的端部的截面的锥形宽度。
6.根据权利要求3的有机发光装置,其中形成该第二上部电极层以覆盖该第一上部电极层。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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