[发明专利]涂布、显影装置有效
申请号: | 201510336832.5 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN104966685B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 松冈伸明;宫田亮;林伸一;榎木田卓 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;朱弋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单位块 显影处理 显影装置 叠层 二层 前级 处理模块 交接机构 基板 交接 抑制装置 运转效率 分配 向后 曝光 | ||
本发明提供一种涂布、显影装置,其目的在于提供能够抑制处理模块的设置面积并且能够抑制装置的运转效率降低的技术。将前级处理用单位块作为第一前级处理用单位块和第二前级处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层,将后级处理用单位块作为第一后级处理用单位块和第二后级处理用单位块上下以上下二层化的方式相互叠层,进一步将显影处理用单位块作为第一显影处理用单位块和第二显影处理用单位块以上下二层化的方式相互叠层,由此构成处理模块,该涂布、显影装置包括:从前级处理用单位块向后级处理用的各单位块分配并交接基板的第一交接机构;和将曝光后的基板分配并交接给显影处理用单位块的第二交接机构。
本申请是申请日为2011年6月23日、申请号为201110181207.X、发明名称为“涂布、显影装置”的分案申请
技术领域
本发明涉及在基板上涂布抗蚀剂并进行显影的涂布、显影装置。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光抗蚀剂工序中,在半导体晶片(以下称为晶片)的表面涂布抗蚀剂,并以规定的图案对该抗蚀剂曝光后进行显影而形成抗蚀剂图案。在用于形成上述抗蚀剂图案的涂布、显影装置中,设置有具备用于对晶片进行各种处理的处理模块的处理块(block)。
例如如专利文献1记载的那样,处理块通过将形成抗蚀剂膜等各种涂布膜的单位块和进行显影处理的单位块相互叠层而构成。晶片依次在各单位块设置的处理模块中被传递以接受处理。
然而,形成更微小的图案、会进一步降低成品率,因此使上述处理模块中设置的处理模块多样化。例如,除了对基板涂布抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外,有时还设置有对涂布了抗蚀剂的晶片的背面进行清洗的背面清洗模块、对抗蚀剂膜的上层供给药液进而形成膜的上层用的液处理模块等。在将上述各种处理模块搭载于处理模块的基础上,对如何抑制涂布、显影装置的占地面积进行了研讨。
叠层上述单位块所得的结构,对于抑制上述占地面积是有效的,但是由于晶片是依次被输送到各单位块,所以当一个处理模块或单位块中发生异常或者进行维修时,存在必须停止涂布、显影装置的全部处理的情况。于是,产生装置的运转效率降低的问题。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2007-115831
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供能够抑制处理模块的设置面积,并且能够在单位块中发生异常或者进行维修时抑制涂布、显影装置的运转效率降低的技术。
本发明的涂布、显影装置,将由载体搬入到载体块中的基板交接给处理模块,并在该处理模块形成包含抗蚀剂膜的涂布膜之后,将通过相对于上述处理模块位于与载体块相反一侧的接口块输送到曝光装置的、并通过上述接口块返回来的曝光后的基板,在上述处理模块进行显影处理并交接给上述载体块,上述涂布、显影装置的特征在于,包括:
a)上述处理模块,具备:
将涂布用单位块相互上下叠层形成N(N为2以上的整数)层的叠层体,上述涂布用单位块具有:将用于形成上述涂布膜的药液供给到基板的液处理模块、对涂布了药液之后的基板进行加热的加热模块、和为了在这些模块之间输送基板,在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构,和
与上述叠层体叠层的、将显影处理用单位块相互上下叠层形成N(N为2以上的整数)层的叠层体,上述显影处理用单位块具有:向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在连结载体块和接口块的直线输送路径上移动的单位块用输送机构,其中,
上述N层化的涂布用单位块构成为相互形成相同的涂布膜;
b)交接部,按照各单位块,设置于载体块一侧,用于与各单位块的输送机构之间进行基板的交接;
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造