[发明专利]半导体封装以及半导体封装的制造方法有效
| 申请号： | 201510336842.9 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105321812B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黑须笃;横井哲哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 半导体封装 基框 半导体元件 表面活性化 表面连接 下表面 粘接 金属 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：
使用表面活性化法而使晶圆粘接在形成有槽的金属板的表面上的工序；以及
将上述晶圆和上述金属板分别切断而将半导体元件切出的工序，
将上述半导体元件切出的工序包括：
使用第一切割刀片将上述晶圆切断的第1切割工序；以及
使用比上述第一切割刀片薄的第二切割刀片将上述金属板切断的第2切割工序。
2.如权利要求1所述的半导体封装的制造方法，
在使用上述第二切割刀片将上述金属板切断时，以上述第二切割刀片与上述槽交叉的状态，将金属板切断。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510336842.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
