[发明专利]涂布、显影装置有效
申请号: | 201510337538.6 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN104966686A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 松冈伸明;宫田亮;林伸一;榎木田卓 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;朱弋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂布 显影 装置 | ||
1.一种涂布、显影装置,所述涂布、显影装置将由载体搬入到载体块中的基板交接给处理块,在该处理块形成包含抗蚀剂膜的涂布膜之后,对通过相对于所述处理块位于与载体块侧呈相反一侧的接口块输送到曝光装置、并通过所述接口块返回来的曝光后的基板,在所述处理块进行显影处理,并交接给所述载体块,其特征在于,包括:
a)所述处理块,具备:
多个涂布用单位块相互上下叠层的涂布处理叠层体,所述多个涂布用单位块分别具有:向基板供给用于形成所述涂布膜的药液的液处理模块、对涂布了药液之后的基板进行加热的加热模块、和为了在这些模块之间搬送基板而在连结载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用搬送机构;和
与所述涂布处理叠层体叠层,且多个显影处理用单位块相互上下叠层的显影处理叠层体,所述多个显影处理用单位块分别具有:向基板供给显影液的液处理模块、对基板进行加热的加热模块、和在连结载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用搬送机构,
b)所述接口块相对于所述处理块设于所述曝光装置一侧,具备:
载置基板的交接部沿垂直方向多级配置而构成的交接部叠层体;
为了在所述交接部之间交接基板而进行升降的第一搬送机构;
为了在所述交接部之间交接基板而进行升降,并与所述第一搬送机构一起在横向上夹在所述交接部叠层体两侧而设置的第二搬送机构;和
为了在所述交接部叠层体与曝光装置之间进行基板的交接的第三搬送机构,
所述交接部叠层体包括利用所述第三搬送机构交接基板的曝光装置交接用交接部,和利用各单位块的搬送机构交接基板,与该单位块对应的单位块用交接部,和
c)用于控制各块的基板搬送的控制部,
d)第三搬送机构包括上下方向的移动路径和横向的移动路径,且在形成于第一搬送机构的升降路径的下方的第三搬送机构用移动路径上移动,
e)所述交接用叠层体包括用于在第二搬送机构和第三搬送机构之间交接基板的交接部。
2.如权利要求1所述的涂布、显影装置,其特征在于:
所述曝光装置交接用交接部包括将所载置的基板冷却的冷却台,
从所述涂布处理叠层体的单位块用搬送机构被交接给与该单位块对应的交接部的基板,在被搬入所述曝光装置之前,在所述冷却台被冷却之后,由所述第三搬送机构交接给该曝光装置。
3.如权利要求1或2所述的涂布、显影装置,其特征在于:
构成所述涂布处理叠层体的多个单位块,具有:
作为所述液处理模块,包括向基板涂布抗蚀剂液并形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布模块的抗蚀剂膜形成单位块;和
叠层于所述抗蚀剂膜形成单位块,作为所述液处理模块,包括用于在所述抗蚀剂膜之上形成上层膜的上层膜涂布模块的上层膜形成单位块,
由所述抗蚀剂涂布模块处理的基板被交接给与所述抗蚀剂膜形成单位块对应的单位块用交接部,
接着利用所述第一搬送机构或第二搬送机构,交接给与上层膜形成单位块对应的单位块用交接部,
接着利用所述控制部控制各搬送结构,以利用所述上层膜形成单位块的单位块用搬送机构,从所述单位块用交接部搬送至上层膜形成模块,形成所述上层膜。
4.如权利要求1~3任一项所述的涂布、显影装置,其特征在于:
所述接口块具备清洗基板的清洗模块,从所述交接部叠层体看,所述清洗模块分别设置在所述第一搬送机构的背面侧和所述第二搬送机构的背面侧,以利用所述第一搬送机构交接基板和利用所述第二搬送机构交接基板。
5.如权利要求4所述的涂布、显影装置,其特征在于:
设于所述第一搬送机构的背面侧的所述清洗模块为对曝光处理前的基板进行清洗的清洗模块,设于所述第二搬送机构的背面侧的所述清洗模块为对曝光处理后的基板进行清洗的清洗模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造