[发明专利]一种硅片分布状态光电图像组合扫描方法及装置有效
申请号: | 201510337586.5 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN105097591B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 徐冬;慕晓航 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 分布 状态 光电 图像 组合 扫描 方法 装置 | ||
1.一种硅片分布状态光电图像组合扫描方法,其特征在于,在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上,设置有光电扫描单元和图像传感单元;所述光电扫描单元包括两个光电传感器,所述两个光电传感器分别位于所述机械手的U形端部相对位置,并随机械手垂直和水平运动,所述方法包括以下步骤:
步骤S1、设定机械手运动扫描初始化参数并执行初始化;其中,所述运动扫描初始化参数包括机械手水平和/或垂直扫描运动速度,硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置;
步骤S2、所述两个光电传感器设置在互接收模式和/或自接收模式,执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令;其中,预扫描指令用于识别硅片组中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片,循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时,识别整个硅片组中硅片的凸出异常状态分布;
步骤S3:所述图像传感单元定位于所述承载器侧边周围,且将对应第一个放置硅片的位置作为垂直和水平起始点位置;所述图像传感单元沿硅片的平行方向,从上至下依次拍摄所述硅片组中每片硅片的侧边平面图像;
步骤S4:用图像特征识别算法,在图像标定位置区间分布区域,从每个所述侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征,判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态;如果没有异常状态,执行步骤S6;否则,执行步骤S5;
步骤S5:报警并等待人工处置或者按规定处置;
步骤S6:结束。
2.根据权利要求1所述的扫描方法,其特征在于,所述两个光电传感器设置在互接收模式,所述步骤S2具体包括如下步骤:
步骤S21:所述机械手定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置;
步骤S22:根据两个所述光电传感器间相互发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化,判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态;如果是,执行步骤S25;否则,执行步骤S23;
步骤S23:所述机械手依序下降或上升一个硅片的间隔距离,先判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置;如果是,执行步骤S24;否则,执行步骤S22;
步骤S24:所述机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离,判断所述位置是否是水平终止点位置;如果是,执行步骤S3;否则,执行步骤S22;
步骤S25:发出凸片异常报警信息,继续执行步骤S23。
3.根据权利要求1所述的扫描方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括如下步骤:
步骤S21′:所述机械手定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置,并将两个所述光电传感器的工作模式设置成自接收模式;
步骤S22′:根据光电传感器各自沿硅片层叠的垂直方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则,判断硅片是否存在突出规定位置的异常状态,如果是,执行步骤S24′;否则,执行步骤S23′;
步骤S23′:所述机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离,判断所述位置是否是水平终止点位置;如果是,执行步骤S24′;否则,执行步骤S22′;
步骤S24′:测量阻挡光束传播路径上障碍物距离,得到存在突出状态硅片的位置参数,发出凸片异常报警信息,执行步骤S25′;
步骤S25′:所述机械手定位下降至所述存在突出状态硅片的位置;将所述光电传感器的工作模式转换成互接收模式,判断所述位置是否是上或下垂直终止点位置;如果是,所述机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离,执行步骤S27′;如果不是,执行步骤S26′;
步骤S26′:所述机械手依序下降或上升一个硅片的间隔距离;
步骤S27′:根据两个所述光电传感器间相互水平发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化,判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态;如果是,执行步骤S29′;否则,判断所述位置是否是上/下垂直终止点位置;如果不是,执行步骤S26′;如果是,执行步骤S27′;
步骤S28′;所述机械手沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离,判断所述位置是否是超出水平终止点位置;如果是,执行步骤S3;否则,执行步骤S27′;
步骤S29′:发出凸片异常报警信息,继续执行步骤S26′。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造