[发明专利]一种SERS基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201510338662.4 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104931480A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 毛海央;唐力程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
1.一种SERS基底的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成聚合物层；
采用等离子体对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；
覆盖金属层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物层包括：正性光刻胶、负性光刻胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或聚对二甲苯。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体包括氩等离子体、氧等离子体或氮等离子体。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层为金、银、铜或铂。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物层的厚度为0.2um-5um。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，等离子体气源的流量为50-400sccm，腔体压力为0.2Pa，射频功率为50-350W，处理时间为2-120min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述柱状纳米结构形成团簇结构，团簇结构中的柱状纳米结构间存在纳米孔隙。
8.一种SERS基底，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的柱状纳米结构，所述柱状纳米结构由等离子体轰击聚合物材料后形成；
覆盖柱状纳米结构的金属层。
9.根据权利要求8所述的SERS基底，其特征在于，所述柱状纳米结构形成团簇结构，团簇结构中的柱状纳米结构间存在纳米孔隙。
10.根据权利要求8所述的SERS基底，其特征在于，所述聚合物材料包括：正性光刻胶、负性光刻胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或聚对二甲苯。
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