[发明专利]一种非挥发性阻变存储器有源集成结构

权利要求书

1.一种非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，包括SrTiO₃衬底、设于SrTiO₃衬底上的LaAlO₃薄膜和设于SrTiO₃衬底上并穿过LaAlO₃薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO₃薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO₃衬底与LaAlO₃薄膜的界面之间形成二维电子气；

FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，LaAlO₃薄膜可同时作为FET 选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质。

2.根据权利要求1所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，第一金属电极为铂电极。

3.根据权利要求1所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，第二金属电极为铂电极。

4.根据权利要求1所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，第三金属电极为铂电极。

5.根据权利要求1所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，LaAlO₃薄膜为单晶薄膜。

6.根据权利要求5所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，利用分子束外延法在SrTiO₃衬底上形成LaAlO₃单晶薄膜。

7.根据权利要求1所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，第一金属电极和第三金属电极的形成方式为：通过光刻方法和湿法腐蚀制备出沟道层长度为一定尺寸霍尔FET器件，并利用离子束刻蚀技术制备与二维电子气欧姆接触的第一金属电极和第三金属电极。

8.根据权利要求7所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，所述一定尺寸为100μm。

9.根据权利要求1至8任一项所述的非挥发性阻变存储器有源集成结构，其特征在于，第一金属电极和第三金属电极分别位于第二金属电极的两侧。