[发明专利]一种高抗氧化性铜带有效
| 申请号： | 201510344355.7 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105322041A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 袁华斌;肖新民;李鹏;丁培兴;王金波 | 申请（专利权）人： | 常州天合光伏焊带材料有限公司;常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常州市新北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 性铜带 | ||
【权利要求书】：
1.一种高抗氧化性铜带，包括呈扁平状的铜基（1），其特征在于：利用表面溅射沉积方法在铜基（1）的至少一个表面形成一层纳米保护层（2）。
2.根据权利要求1所述的高抗氧化性铜带，其特征在于：所述纳米保护层（2）的材料为MoSi2、Ni-Si3N4、Al2O3、Ni-P、Ti/DLC中的一种，或者为，两种或两种以上混合物。
3.根据权利要求1所述的高抗氧化性铜带，其特征在于：所述纳米保护层（2）厚度为350纳米到450纳米。
4.根据权利要求1-3任一所述的高抗氧化性铜带，其特征在于：所述的铜基（1）的横截面呈矩形，或两侧短边呈弧形。
5.根据权利要求1-3任一所述的高抗氧化性铜带，其特征在于：所述扁平状的铜基（1）厚度为0.18~0.25mm。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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