[发明专利]一种在Ag基底上电解制备AgVO3薄膜的方法有效
申请号: | 201510344909.3 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN104966835B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 曾晖;方建华 | 申请(专利权)人: | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
主分类号: | H01M4/54 | 分类号: | H01M4/54;H01M4/1391;H01M10/0525 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ag 基底 电解 制备 agvo3 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种锂离子电池电极材料的制备方法,具体是一种在Ag基底上电解制备AgVO3薄膜的方法。
背景技术
锂电池作为一种绿色能源,已应用于便携式电子设备和电动汽车。虽然锂电池的能量密度较高,但是较低的锂离子及电子扩散速率导致其倍率特性较差、功率密度较低。倍率特性较差更是限制其在便携设备中的进一步发展。因此,研究基于新型纳米结构的高容量、高倍率、微型化、循环稳定性优异、低成本锂电池是当前低碳经济时代锂电池研究的前沿和热点之一。在1987年,由Takeuchi和Piliero提出用银钒氧化物作为锂一次电池的正极材料,更是吸引人们关注银钒氧化物优良的电化学性能,如Ag2V4O11的高放电平台、高容量使得其作为心脏起搏器的电池材料,并已商业化。而和Ag2V4O11相比,AgVO3因具有更高的Ag:V比而被认为具有更好的电化学性能。
目前,合成AgVO3材料的主要方法是水热法。然而这种方法存在活性物质与导电剂、粘结剂等难以混合均匀的问题,活性物质与集流体基底间接触电阻较高,从而影响电极材料的电化学性能。
本发明是在方法简单和条件温和前提下,采用电解法制备AgVO3薄膜电极材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在Ag基底上电解制备AgVO3薄膜的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
(1)Ag基底的预处理制备:裁切直径为1.0-1.5cm的Ag基底圆片,将Ag基底圆片分别在丙酮、乙醇溶剂中超声5-30min,再放入氨水溶液中超声2-10min,最后用蒸馏水清洗干净;
(2)AgVO3薄膜的制备:取一段导电胶带,其一端粘住预处理过的Ag基底圆片,另一端接在数字电位差计的阳极,数字电位差计的阴极接铂丝电极,将阳极和阴极放入装有0.01-2mol/L的可溶性偏钒酸铵水溶液中的烧杯中,将数字电位差计的电压设置在0.02-2V,电解30-480min后,取出Ag基底圆片,经蒸馏水洗涤后,晾干,得到AgVO3薄膜;
(3)AgVO3薄膜的焙烧:步骤(2)制备出的产物在惰性气氛保护下,于300-650℃焙烧2-15小时去除吸附的水,得到结晶性良好的AgVO3薄膜。
所述的可溶性偏钒酸盐选自偏钒酸铵、偏钒酸钠和偏钒酸钾等中至少一种。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明合成方法简单、条件温和、薄膜形貌均匀,所制备的AgVO3薄膜形貌均匀、结构稳定和导电性好,是一种有前景的薄膜电极材料;
2、本发明在Ag基底上采用电解法合成了AgVO3薄膜。与粉体AgVO3材料相比,不仅简化了电极制作,还具有更好的结构稳定性与导电性,提高了电池的电化学性能;
3、本发明将AgVO3薄膜直接用作锂离子电池电极,省去了电极的制备过程,AgVO3薄膜中的Ag基底导电性好,活性物质AgVO3与Ag基底接触良好,减小了接触电阻,进一步提高电池的相关电化学性能。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
一种在Ag基底上电解制备AgVO3薄膜的方法,包括如下步骤:
(1)Ag基底的预处理制备
裁切直径为1.0-1.5cm的Ag基底圆片,将Ag基底圆片分别在丙酮、乙醇溶剂中超声5-30min,再放入氨水溶液中超声2-10min,最后用蒸馏水清洗干净。
(2)AgVO3薄膜的制备
取一段导电胶带,其一端粘住预处理过的Ag基底,另一端接在数字电位差计的阳极数字电位差计的阴极接铂丝电极,将阳极和阴极放入装有0.01-2mol/L的可溶性偏钒酸铵水溶液中的烧杯中,将数字电位差计的电压设置在0.02-2V,电解30-480min后,取出Ag基底圆片,经蒸馏水洗涤后,晾干,得到AgVO3薄膜。
(3)AgVO3薄膜的焙烧
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