[发明专利]SOI衬底的制造方法及SOI衬底

权利要求书

1.一种绝缘体上硅衬底，包括：

衬底，所述衬底的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域被第二区域包围，而第二区域被第三区域包围；

覆盖第二区域的绝缘层；以及

覆盖所述绝缘层的单晶半导体层，

其中，所述衬底的上表面在第一区域和第三区域中被暴露，以及

其中，与第二区域的中心相比，第一区域更接近于第二区域与第三区域之间的边界。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅衬底，其中第一区域和第三区域彼此共面。

3.根据权利要求1所述的绝缘体上硅衬底，其中所述衬底在第一区域中具有凹部。

4.根据权利要求1或3所述的绝缘体上硅衬底，其中所述绝缘层的侧面和所述单晶半导体层的侧面彼此共面。

5.根据权利要求1或3所述的绝缘体上硅衬底，其中所述衬底是绝缘体。

6.根据权利要求1或3所述的绝缘体上硅衬底，其中第一区域的直径等于或大于1mm。

7.根据权利要求1或3所述的绝缘体上硅衬底，其中所述单晶半导体层的顶面的平均面粗糙度等于或小于8nm。

8.根据权利要求1或3所述的绝缘体上硅衬底，其中所述单晶半导体层的顶面的最大高度差等于或小于120nm。

9.一种绝缘体上硅衬底，包括：

衬底，所述衬底的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域被第二区域包围，而第二区域被第三区域包围；

覆盖第一区域、第二区域和第三区域的绝缘层；

在所述绝缘层上并且覆盖第二区域的氧化膜；以及

在所述氧化膜上的单晶半导体层，

其中，所述绝缘层的上表面在第一区域和第三区域中被暴露，以及

其中，与第二区域的中心相比，第一区域更接近于第二区域与第三区域之间的边界。

10.根据权利要求9所述的绝缘体上硅衬底，其中第一区域和第三区域彼此共面。

11.根据权利要求9所述的绝缘体上硅衬底，其中所述绝缘层在第一区域中的上表面和所述绝缘层在第三区域中的上表面彼此共面。

12.根据权利要求9所述的绝缘体上硅衬底，其中所述衬底在第一区域中具有凹部。

13.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中所述氧化膜的侧面和所述单晶半导体层的侧面在第一区域与第二区域之间的边界上彼此共面。

14.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中所述单晶半导体层的侧面在第二区域与第三区域之间的边界上被所述氧化膜覆盖。

15.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中所述衬底是绝缘体。

16.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中第一区域的直径等于或大于1mm。

17.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中所述单晶半导体层的顶面的平均面粗糙度等于或小于8nm。

18.根据权利要求9或12所述的绝缘体上硅衬底，其中所述单晶半导体层的顶面的最大高度差等于或小于120nm。