[发明专利]借助表面发射半导体装置的数字热注入

权利要求书

1.一种用于将辐射能量不接触注入到目标中的系统，所述系统包括：

基于半导体的窄带辐射发射装置元件的阵列，所述阵列操作以在匹配所述目标的所期望吸收特性的辐射热输出窄波长带下发射辐射；

所述窄带辐射发射装置为安装式表面发射激光二极管装置；

所述阵列安装到包括电路板及冷却衬底中的至少一者的安装实体，以便相对于所述安装实体的最大平面大体正交地引导来自所述窄带辐射发射装置的辐照型式的中心轴，其中每一激光二极管装置内部的激光发射沿平行于所述装置的安装平面的方向发生，而所述输出辐照型式的所述中心轴大体正交于所述安装平面；

安装布置，其经配置以定位所述阵列，以便将来自所述阵列的辐照引导到辐照区中的所述目标，且以便在考虑所述激光二极管装置的组合的辐照输出型式的情况下确定所述阵列中的所述表面发射激光二极管装置的相对几何位置以提供所述目标的辐照；及

操作以向所述窄带辐射发射装置供应电流的构件。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述阵列包括表面发射激光二极管装置的X×Y矩阵，其中X及Y两者均大于一(1)。

3.根据权利要求2所述的系统，其中在所述阵列中包含至少两种不同装置类型的装置：

所述装置类型由以下各项中的至少一者界定：产生不同波长、由不同晶片衬底化学品制造、具有不同物理大小、不同功率输出及具有不同装置输出型式。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述阵列中所包含的所述不同装置类型可产生至少两种不同波长，所述波长的中心彼此相距150nm以上。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作以向所述窄带辐射发射装置供应电流的构件由可借助以下电源选择性地供应电流的系统构成：

至少一个电流控制电源，其可由智能控制器控制：

控制所述电源的所述智能控制器由以下各项中的至少一者组成：可编程逻辑控制器、基于微处理器的控制板、计算机控制系统及嵌入式逻辑控制器。

6.根据权利要求3所述的系统，其中所述智能控制器具有选择性地控制来自所述至少两种不同装置类型的辐照的能力。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述表面发射激光二极管装置包括表面发射散布式反馈激光二极管装置。

8.一种用于产生与目标相关联的辐射能量的辐照阵列，其包括：

半导体辐照阵列，其中装置不与其上安装所述阵列的板的任何边缘齐平地安装；

其中所述安装板配置为高热传导衬底，所述高热传导衬底具有用以传导热的至少一个层及用以传导供电电流的一个层；

其中所述阵列由表面发射半导体激光装置构成；

其中所述装置阵列的光学光子输出的轴实质上垂直于所述安装衬底的大平面，其中每一激光二极管装置内部的激光发射沿平行于所述装置的安装平面的方向发生，而所述输出辐照型式的所述中心轴大体正交于所述安装平面；

其中所述安装板经配置以热耦合到以下各项中的至少一者：水套冷却系统、热辐射鳍片布置、状态改变冷却器、经压缩介质冷却器及热电冷却器；以及

其中在考虑所述表面发射半导体激光装置的组合的辐照输出型式的情况下确定所述阵列中的所述表面发射半导体激光装置的相对几何位置以提供所述目标的辐照。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述阵列为表面发射装置的X×Y阵列，借此X及Y两者均大于一。

10.根据权利要求8所述的系统，其中所述阵列为表面发射装置的布置，借此所述装置中的一些装置相对于其相邻装置旋转。

11.根据权利要求8所述的系统，其中所述表面发射半导体激光装置包括表面发射散布式反馈激光二极管装置。