[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光设备

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

在所述发光结构上的透射衬底；

在所述第一导电半导体层的第一区域下面的第一电极，

在所述第二导电半导体层下面的反射电极层；

在所述反射电极层下面的第二电极；

在所述第一电极下面的第一连接电极；

在所述第二电极下面的第二连接电极；

在所述反射电极层和所述第一导电半导体层的第一区域下面的支撑构件，

其中，所述支撑构件包括在所述第一电极周围的第一支撑构件、在所述第二电极周围的第二支撑构件以及在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间提供的狭缝，

其中，所述支撑构件的下边缘在所述发光结构的横向侧上是直的，

其中，所述支撑构件的横向侧与所述发光结构的所述横向侧对齐在同一平面上，以及

其中，光朝向所述透射衬底的顶表面发射并且通过所述透射衬底的横向侧和所述发光结构的所述横向侧发射，

其中，所述第一支撑构件通过所述狭缝与所述第二支撑构件物理地分开，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件中的每个由绝缘材料形成，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的绝缘材料具有热扩散体，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的下表面与所述第一连接电极的下表面和所述第二连接电极的下表面对齐在同一平面上，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件不与所述发光结构和所述透射衬底接触，以及

其中，所述第一支撑构件具有大于所述第二连接电极的厚度的厚度。

2.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

在所述发光结构上的透射衬底；

在所述第一导电半导体层的第一区域下面的第一电极，

在所述第二导电半导体层下面的反射电极层；

在所述反射电极层下面的第二电极；

在所述第一电极下面的第一连接电极；

在所述第二电极下面的第二连接电极；

在所述反射电极层和所述第一导电半导体层的第一区域下面的支撑构件，

其中，所述支撑构件包括在所述第一电极周围的第一支撑构件、在所述第二电极周围的第二支撑构件以及在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间提供的狭缝，

其中，在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间的距离是所述发光结构的一个横向侧的长度的至少1/2，

其中，所述支撑构件的下边缘在所述发光结构的所述横向侧上是直的，

其中，所述支撑构件的横向侧与所述发光结构的所述横向侧对齐在同一平面上，

其中，光朝向所述透射衬底的顶表面发射并且通过所述透射衬底的横向侧和所述发光结构的所述横向侧发射，以及

其中，所述第一支撑构件通过所述狭缝与所述第二支撑构件物理地分开，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件中的每个由绝缘材料形成，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的绝缘材料具有热扩散体，

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的下表面与所述第一连接电极的下表面和所述第二连接电极的下表面对齐在同一平面上，以及

其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件不与所述发光结构和所述透射衬底接触，

其中，所述第一支撑构件具有大于所述第二连接电极的厚度的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述支撑构件包括包含硅树脂或环氧树脂的绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述反射电极层包括透射电极层/反射层的堆叠结构，

其中，所述反射层被形成在所述透射电极层下，

其中，所述反射层包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层，以及

其中，所述第一层和所述第二层包括绝缘材料。