[发明专利]存储设备中的读取辅助技术

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

位单元阵列；

多个字线驱动器，所述多个字线驱动器经由多条字线连接到所述位单元阵列，其中所述位单元阵列中的每个位单元经由所述多条字线中的一条字线被选择性地连接到所述多个字线驱动器中的一个字线驱动器，并且对所述位单元阵列中选定位单元的访问需要在与所述选定位单元相关联的选定字线上断言电压，并且其中每个字线驱动器具有NAND门和反相器，每个字线驱动器中的反相器经由所述多条字线中的对应字线连接到所述位单元阵列中的对应一个位单元，以提供所述选定字线上的所述断言电压；以及

读取辅助电路，配置为当执行对所述选定位单元的读取访问时，通过利用字线驱动器中的反相器实现在所述选定字线上断言电压的降低，

其中所述读取辅助电路配置为通过选择性地将所述选定字线连接到所述多条字线中的另一字线来实现断言电压的降低。

2.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路配置为通过另外选择性地将所述选定字线连接到所述多条字线中的另一第二字线来实现在所述选定字线上断言电压的降低。

3.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述多条字线中的所述另一字线与所述选定字线相邻。

4.如权利要求2所述的存储设备，其中，所述多条字线中的所述另一第二字线与所述选定字线相邻。

5.如权利要求2所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路还包括在所述多条字线中的所述另一字线和所述另一第二字线之间的选择性连接。

6.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路包括在至少三条相邻字线的组中的相邻字线之间的选择性连接的组，其中，所述至少三条相邻字线的组包括所述选定字线，并且所述读取辅助电路包括在所述组中的两条最外端的字线之间的另一选择性连接。

7.如权利要求6所述的存储设备，其中，所述至少三条相邻字线的组是四条相邻字线的组。

8.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路包括分压器，分压器配置为在分压器的中点产生在第一参考电压和第二参考电压之间的中间电压，其中，分压器的中点连接到所述选定字线。

9.如权利要求8所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路还包括：所述选定字线和第二参考电压之间的选择性连接，其中，所述选定字线和第二参考电压之间的选择性连接配置为使得第一参考电压和第二参考电压均连接到分离的晶体管阱。

10.如权利要求8所述的存储设备，其中，被布置在第一参考电压和中点之间的分压器的上部包括第一类型的晶体管，所述第一类型的晶体管形成连接到所述选定字线的字线驱动器的一部分。

11.如权利要求8所述的存储设备，其中，被布置在第二参考电压和中点之间的分压器的下部包括第二类型的晶体管，所述第二类型的晶体管形成连接到所述另一字线的字线驱动器的一部分。

12.如权利要求10所述的存储设备，其中，第一类型的晶体管是PMOS晶体管。

13.如权利要求11所述的存储设备，其中，第二类型的晶体管是NMOS晶体管。

14.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述选定字线到所述多条字线中的另一字线的选择性连接由从外部提供到所述存储设备的控制信号来控制。

15.如权利要求1所述的存储设备，其中，所述读取辅助电路连接到携带读取辅助使能信号的线路。

16.如权利要求15所述的存储设备，其中，所述读取辅助使能信号包括低电平有效信号。