[发明专利]一种宽带偏振旋转器在审
申请号: | 201510346663.3 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN104914496A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 廖艳林;赵艳 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 偏振 旋转 | ||
技术领域
本发明涉及微纳光学器件领域,具体是一种宽带偏振旋转器。
背景技术
偏振是电磁波的一个重要特性,偏振特性广泛应用于通讯、导航以及成像等等。传统的偏振旋转器,如法拉第旋转器,偏振旋转效率低且体积较大,难以适用于微光学系统集成。金属微纳结构可在纳米尺度实现电磁波操控,如基于金属微纳结构的偏振旋转器,但是这种基于金属微纳结构的偏振旋转器运行带宽较窄,不适合宽带应用。
发明内容 本发明的目的是提供一种宽带偏振旋转器,以解决现有技术存在的问题。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种宽带偏振旋转器,其特征在于:包括有二氧化硅基底,基底上镀有银膜层,银膜层上刻蚀有第一光栅,第一光栅上镀有第一二氧化硅膜层,第一二氧化硅膜层上镀有第二银膜层,第二银膜层上刻蚀有L形穿孔薄膜层,L形穿孔薄膜层上镀有第二二氧化硅膜层,第二二氧化硅膜层上镀有第三银膜层,第三银膜层上刻蚀有第二光栅。
所述的一种宽带偏振旋转器,其特征在于:第一光栅的位置挡住L穿孔薄膜层中与第一光栅平行的一臂,第二光栅的位置挡住L穿孔薄膜层中与第二光栅平行的一臂。
所述的一种宽带偏振旋转器,其特征在于:第一光栅和第二光栅在空间上呈正交,正交的两光栅与L穿孔薄膜层间隔小于入射光波长的十分之一。
X方向偏振光从基底入射,经过第一光栅(金属条与Y方向平行)后经第一二氧化硅膜层到达L形穿孔银薄膜,X方向偏振光穿过L形穿孔薄膜后一部分转换为Y方向偏振光,转换成Y方向的偏振光经过第二二氧化硅膜层将高效通过第二光栅(金属条与X方向平行),穿过L形穿孔薄膜的没有被转换成Y方向偏振光的X方向偏振光,照射到第二光栅将被高效反射并再次穿过L形穿孔薄膜,穿过L形薄膜后部分X方向偏振光转化为Y方向偏振光,该Y方向偏振光遇到第一光栅将被高效反射,经过L形穿孔薄膜后将经过第二光栅透射,最后使得经过第二光栅的透射光都是Y方向偏振光,而X方向透射光被抑制,至此该偏振旋转器实现了X方向偏振光高效转化为Y方向偏振光,结果如图2所示,透射的Y方向偏振光在1.6微米至3.0微米光谱范围内幅度大于0.6,而透射的X方向偏振光在1.5微米至3.5微米光谱范围内幅度低于0.03。
本发明的优点在于宽带范围内实现了偏振转换,而且透射光中入射偏振(本专利中的X方向偏振)在宽带范围内被抑制。
附图说明
图1为本发明结构示意图。本宽带偏振旋转器在XY平面内是周期结构,电磁波沿着z方向传播。
图1 (a)-一个周期单元结构XZ方向示意图;第一层高度z1=100nm, 第二层高度z2=40nm, 第三层高度z3=100nm, 第四层高度z1=40nm, 第五层高度z5=100nm;
图1 (b)-一个周期单元第一光栅 XY方向示意图; X方向周期p=600nm, Y方向周期p=600nm,其它参数为a=50nm,b=350nm;
图1 (c)-一个周期单元第一二氧化硅膜层XY方向示意图;
图1 (d)-一个周期单元穿孔L形结构XY方向示意图, L形参数为c=100nm, d=400nm, e=400nm, f=100nm;
图1 (e)-一个周期单元第二二氧化硅膜层XY方向示意图;
图1 (f)-一个周期单元第二光栅XY方向示意图,g=350nm,h=50nm。
图2 本偏振旋转器获得的透射光谱;图中实线代表输出的Y方向偏振光,虚线代表输出的X方向偏振光。
具体实施方式
一种宽带偏振旋转器,包括有二氧化硅基底,基底上镀有第一银膜层,阴,银膜层上刻蚀有第一光栅,第一光栅上镀有第一二氧化硅膜层,第一二氧化硅膜层上镀有第二银膜层,第二银膜层上刻蚀有L形穿孔薄膜层,L形穿孔薄膜层上镀有第二二氧化硅膜层,第二二氧化硅膜层上镀有第三银膜层,第三银膜层上刻蚀有第二光栅。
第一光栅的位置挡住L穿孔薄膜层中与第一光栅平行的一臂,第二光栅的位置挡住L穿孔薄膜层中与第二光栅平行的一臂。
第一光栅和第二光栅在空间上呈正交,正交的两光栅与L穿孔薄膜层间隔小于入射光波长的十分之一。
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