[发明专利]一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路及方法有效
| 申请号： | 201510346788.6 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104950967A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 梁星 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠 补偿 mos 阈值 电压 变化 电路 方法 | ||
【说明书】：
【技术领域】
本发明涉及一种补偿MOS管阈值电压随工艺和温度变化的电路及方法。
【背景技术】
在CMOS集成电路中，MOS管的阈值电压是指半导体表现产生反型层(导电沟道)时所需要施加在栅极上的电压。以n沟道MOSFET为例，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs＞2ψB时，即认为半导体表面强反型。这里的ψB是半导体的费米势，即半导体禁带中央与费米能级之差。阈值电压VT包含三个部分(不考虑衬偏电压变化时)：栅氧化层上的电压降Vox，半导体表面附近的电压降2ψB，抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降(平带电压VFB。
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