[发明专利]一种超薄的MOSFET封装结构及封装方法在审

申请号：	201510346850.1	申请日：	2015-06-19
公开（公告）号：	CN104979222A	公开（公告）日：	2015-10-14
发明（设计）人：	曹凯;谢皆雷;吴超;罗立辉	申请（专利权）人：	宁波芯健半导体有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L23/31;H01L29/78
代理公司：	上海泰能知识产权代理事务所 31233	代理人：	宋缨;孙健
地址：	315336 浙江省宁波市杭***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种超薄 mosfet 封装结构方法
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【权利要求书】：

1.一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，其特征在于，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。

2.根据权利要求1所述的超薄的MOSFET封装结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度为15-500μm。

3.根据权利要求1所述的超薄的MOSFET封装结构，其特征在于，所述凸点为单一结构或多层结构。

4.根据权利要求1所述的超薄的MOSFET封装结构，其特征在于，所述凸点采用金属制成或金属合金制成。

5.一种超薄的MOSFET封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在MOSFET晶圆的电极面制作一层第一绝缘保护层，并将导通部分暴露出来；

(2)对MOSFET晶圆的划片槽区域进行预切割具有深度的沟槽；

(3)在导通部分上制作导电线路层，并将导电线路层引到沟槽的侧壁；

(4)在第一绝缘保护层表面制作一层第二绝缘保护层，并将带有导电线路层的部分暴露出来；

(5)在暴露出来的导电线路层上制作用于导电的凸点；

(6)将MOSFET晶圆贴在磨片膜上进行减薄，直至预定厚度；

(7)在MOSFET晶圆的背面制作背面导电层；

(8)将MOSFET晶圆与磨片膜进行分离，并完成单颗芯片的分割。