[发明专利]一种宽光强适用范围二氧化钛纳米管阵列复合光阳极的制备方法有效
申请号: | 201510346909.7 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN104934230B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 杨峰;邹龙生;赵勇 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司51200 | 代理人: | 张澎 |
地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽光强 适用范围 氧化 纳米 阵列 复合 阳极 制备 方法 | ||
1.一种宽光强适用范围二氧化钛纳米管阵列复合光阳极的制备方法,其具体作法是:
a、钛箔的处理
钛箔裁剪打磨,用粗砂纸先进行去除表面层的杂质和氧化物,再用细砂纸进行磨平光滑,经水洗后醇洗,冷风干燥;
b、二氧化钛纳米管阵列的合成
以a所得为钛箔为氧化反应的阳极,铂片为阴极,极板距离固定值3cm;将装好的阴阳极放入到0.25wt%NH4F的乙二醇溶液中,加上60V的稳定直流电压,电流调到最大,在室温条件下进行阳极氧化,取出的样品去离子水冲洗后用超声辅助清洗,干燥,再450℃保温处理三个半小时;
c、无机半导体In2S3的敏化
将b获得的二氧化钛纳米管阵列退火后依次浸入到0.1M InCl3·4H2O的水溶液、去离子水、浓度为0.15M的Na2S·9H2O的水溶液、去离子水不同的溶液环境中,每个溶液环境停留时间为30s;经多次循环,在二氧化钛纳米管阵列的表面沉积上三硫化二铟;沉积完的样品由冷风吹干,在氩气或真空下无氧环境下330℃保温处理30分钟;
d、染料敏化剂N719的敏化
将c步骤获得的样品浸入染料溶液中,获得N719/In2S3/二氧化钛纳米管阵列/Ti基底的复合光阳极目标产物。
2.如权利要求1所述的一种宽光强适用范围二氧化钛纳米管阵列复合光阳极的制备方法,其特征在于:所述的c步的无机半导体In2S3的敏化,经15次循环,在二氧化钛的表面沉积上三硫化二铟。
3.如权利要求1所述的一种宽光强适用范围二氧化钛纳米管阵列复合光阳极的制备方法,其特征在于:所述的d步的染料敏化剂N719的敏化,称取0.0059g染料N719,溶解在10mL无水乙醇中,在40℃下搅拌12小时,获得染料溶液。
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