[发明专利]一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件

权利要求书

1.一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，包括高纯度单晶衬底(1)、单晶衬底(1)上蒸镀的第一层反射电极(21)、第一层反射电极(21)上蒸镀的第二层反射电极(22)、在第二层反射电极(22)上所形成的电子传输层(3)、在电子传输层(3)上蒸镀的n型纳米锡化物层(4)、n型纳米锡化物层(4)上形成的有机发光层(5)、有机发光层(5)上蒸镀的控制电子区域的p型纳米锡化物层(6)、在p型纳米锡化物层(6)上形成的空穴传输层(7)、在空穴传输层(7)上形成的光学耦合输出层(8)、在光学耦合输出层(8)上形成的透明的阳极层(9)，其特征在于，所述n型纳米锡化物层(4)为特定掺杂浓度的n型纳米锡化物薄膜，p型纳米锡化物层(6)为特定掺杂浓度的p型纳米锡化物薄膜；电子传输层(3)、n型纳米锡化物层(4)、有机发光层(5)和p型纳米锡化物层(6)组成纳米锡化物层掺杂的有机层。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述n型纳米锡化物薄膜和p型纳米锡化物薄膜分别为SnO₂:F和SnO₂:(In,Ga)。

3.根据权利要求2所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述SnO₂:F中F的掺杂量为1.9～3.2％at。

4.根据权利要求3所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述SnO₂:(In,Ga)中In、Ga的掺杂量为10～20％at。

5.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，n型纳米锡化物层(4)和p型纳米锡化物层(6)厚度分别为80～100nm和20～40nm。

6.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述单晶衬底(1)为纯度99.999％的单晶硅衬底。

7.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述第一层反射电极(21)为厚度为80nm～100nm的Al层，所述第二层反射电极(22)为厚度为40nm～50nm的Ag层。

8.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述电子传输层(3)为导电掺杂的具有高的电导率的掺杂材料，所述掺杂材料使用2,9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)作为基质材料，使用Cs₃Co₄、Cs₃Po₄或金属有机化合物作为掺杂剂，此层厚度为135nm～155nm，金属有机化合物为金属-疏水嘧啶络合物。

9.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述纳米锡化物层对电子具有漫反射作用、对光具有乳状的透光性质，将空穴注入发光层的同时将电子限制在发光层中以达到电荷平衡来提高发光层中电荷载流子的再结合概率的功能。

10.根据权利要求1所述的一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件，其特征在于，所述光学耦合输出层(8)折射率为2.0，所述光学耦合输出层是由聚氨酯(PU)、聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯为基质材料并在其中加入SnO₂纳米颗粒作为散射中心形成。