[发明专利]激光退火装置和激光退火方法有效
| 申请号： | 201510348729.2 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104979247B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 姚江波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
1.一种激光退火装置，包括：
用于承载透明基板的载台，在所述透明基板上设置有非晶硅层，
在所述载台内设置有控制所述非晶硅层的温度的温控构件，
激光器，其能提供透射所述透明基板而照射到所述温控构件上的激光，
其中，所述温控构件在所述激光的照射下将所述非晶硅层划分成多个区域，并且所述多个区域中相邻的区域之间的温度彼此不同，
所述温控构件为设置在所述载台内的光罩，所述光罩以能更换的方式设置在所述载台内。
2.根据权利要求1所述的退火装置，其特征在于，所述温控构件包括多个交错布置的反光区和吸光区。
3.根据权利要求2所述的退火装置，其特征在于，所述光罩包括深色区和镜面区，所述深色区形成所述吸光区，所述镜面区形成所述反光区。
4.根据权利要求2或3所述的退火装置，其特征在于，所述反光区和/或所述吸光区的形状为正方形、三角形、圆形以及多边形中的一种。
5.一种使用根据权利要求1到4中任一项所述的激光退火装置对非晶硅层退火的方法，包括以下步骤，
步骤一：将设置有非晶硅层的透明基板设置在所述载台上，
步骤二：使用所述激光器产生的激光照射所述透明基板和温控构件，所述温控构件为设置在所述载台内的光罩，将所述光罩以能更换的方式设置在所述载台内，
步骤三：所述温控构件根据预定要求使所述非晶硅层形成具有多个不同温度的区域，以使所述非晶硅层根据所述预定要求而结晶成多晶硅层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述温控构件包括多个交错布置的反光区和吸光区，
其中，所述非晶硅层的多个不同温度的区域中的高温区域对应于所述吸光区，低温区域对应于所述反光区。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述透明基板设置为使得所述非晶硅层背向所述载台。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光罩包括深色区和镜面区，所述深色区形成所述吸光区，所述镜面区形成所述反光区。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述反光区和/或所述吸光区的形状为正方形、三角形、圆形以及多边形中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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