[发明专利]提取有机发光器件的相关曲线的系统和方法有效
申请号: | 201510348819.1 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105225621B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉 | 申请(专利权)人: | 伊格尼斯创新公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提取 有机 发光 器件 相关 曲线 系统 方法 | ||
1.一种用于确定多个基于阵列的半导体器件中的有机发光器件(OLED)的效率劣化的方法,所述基于阵列的半导体器件具有像素的阵列,且所述像素包括OLED,所述方法包括:
确定每个所述基于阵列的半导体器件中的所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的关系;
使用所述基于阵列的半导体器件之中的被选定的一者的所确定的关系来确定所述OLED的所述效率劣化;并且
补偿所述效率劣化,
其中,所述基于阵列的半导体器件中的所述OLED的所述电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的所述关系是通过使用与每个所述基于阵列的半导体器件相关的测试OLED来确定的,
所述方法还包括:
生成OLED关联性曲线的库,所述OLED关联性曲线将来自所述基于阵列的半导体器件中的所述测试OLED的所述OLED电学信号与所述基于阵列的半导体器件中的所述测试OLED的所述效率劣化关联起来;
测量被选定的所述基于阵列的半导体器件中的所述测试OLED;
识别所述库中的与所述被选定的基于阵列的半导体器件中的所述测试OLED的测量相对应的所述关联性曲线,其中,所识别的所述关联性曲线是所述库中的具有与所测量的所述测试OLED最接近的老化特性的曲线,且
将所识别的所述关联性曲线的老化特性和所测量的所述测试OLED的老化特性之间的差异与预定阈值进行比较,如果所述差异超过所述预定阈值,则计算新的相关性曲线,并将所述新的相关性曲线添加到所述库中。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述测试OLED位于所相关的所述基于阵列的半导体器件的基板上。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所确定的所述关系是OLED关联性曲线,所述OLED关联性曲线将来自被选定的所述基于阵列的半导体器件中的所述测试OLED的OLED电学信号与所述测试OLED的所述效率劣化关联起来。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述关系是在制造每个所述基于阵列的半导体器件时被确定的。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述方法包括:
如果所述差异小于所述预定阈值,使用所识别的所述关联性曲线来确定所述基于阵列的半导体器件中的所述OLED的老化特性。
6.如权利要求1所述的方法,
如果所述差异小于所述预定阈值,则使用所识别的所述相关性曲线来补偿包括所测量的所述测试OLED的显示器的所述效率劣化。
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