[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其具有：

处理空间，其对衬底进行处理；

簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与所述处理空间相邻；

非活性气体供给系统，其在所述处理空间不存在所述衬底的状态下，以形成气幕的方式向所述簇射头缓冲室内供给非活性气体而不供给清洁气体；

处理空间清洁气体供给系统，其向所述处理空间内供给所述清洁气体；

控制部，其被构成为：以同时进行向所述处理空间供给清洁气体和向所述簇射头缓冲室供给非活性气体的方式控制所述非活性气体供给系统及所述处理空间清洁气体供给系统。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，具有：

气体导入孔，其位于与所述分散板相对的位置，设置于所述簇射头缓冲室的顶部，供给所述非活性气体，和

气体引导件，其以所述气体导入孔为顶点、并且其下端位于比形成在所述分散板的最外周的贯通孔更靠外周侧的位置，所述气体引导件以随着从所述气体导入孔朝向所述分散板方向而直径扩大的圆锥状构成，并且一个表面与所述分散板相对，

所述气幕形成于所述气体引导件与所述分散板之间。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

还具有缓冲室清洁气体供给系统，其向所述簇射头缓冲室内供给清洁气体，

所述控制部构成为：以进行下述处理的方式控制所述缓冲室清洁气体供给系统、所述处理空间清洁气体供给系统及所述非活性气体供给系统，

所述处理为：

第一清洁处理，其利用所述缓冲室清洁气体供给系统向所述簇射头缓冲室内供给清洁气体，和

第二清洁处理，其利用所述处理空间清洁气体供给系统向所述处理空间内供给清洁气体、并且利用所述非活性气体供给系统向所述簇射头缓冲室内供给非活性气体。

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，还具有：

第一气体排气系统，其在所述第一清洁处理中使第一阀为关闭状态、在所述第二清洁处理中使所述第一阀为打开状态；

第二气体排气系统，其在所述第一清洁处理中使第二阀为打开状态、在所述第二清洁处理中使第二阀为关闭状态。

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部构成为：以将所述第一清洁处理和所述第二清洁处理交替地重复进行的方式对至少所述各气体供给系统进行控制。

6.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部构成为：以将所述第一清洁处理和所述第二清洁处理交替地重复进行的方式对至少所述各气体供给系统进行控制。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

还具有缓冲室清洁气体供给系统，其向所述簇射头缓冲室内供给清洁气体，

所述控制部构成为：以进行下述处理的方式控制所述缓冲室清洁气体供给系统、所述处理空间清洁气体供给系统及所述非活性气体供给系统，

所述处理为：

第一清洁处理，其利用所述缓冲室清洁气体供给系统向所述簇射头缓冲室内供给清洁气体，和

第二清洁处理，其利用所述处理空间清洁气体供给系统向所述处理空间内供给清洁气体、并且利用所述非活性气体供给系统向所述簇射头缓冲室内供给非活性气体。

8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其中，还具有：

第一气体排气系统，其在所述第一清洁处理中使第一阀为关闭状态、在所述第二清洁处理中使所述第一阀为打开状态；

第二气体排气系统，其在所述第一清洁处理中使第二阀为打开状态、在所述第二清洁处理中使第二阀为关闭状态。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部构成为：以将所述第一清洁处理和所述第二清洁处理交替地重复进行的方式对至少所述各气体供给系统进行控制。