[发明专利]可同时实现减反和多结构陷光的薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种可同时实现减反和多结构陷光的薄膜，其特征在于，由下至上依次为介质薄膜层、主体薄膜层和透明导电氧化物层；

所述的介质薄膜层的折射率为1.3～2；

所述的主体薄膜层由溶胶B成膜得到，溶胶B由空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得；

所述的透明导电氧化物层与主体薄膜层接触，透明导电氧化物层中的透明导电氧化物与主体薄膜层中的空心SiO₂纳米颗粒融合，构成过渡区。

2.根据权利要求1所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜，其特征在于，所述的溶胶B中空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶的质量比为1:0～1。

3.根据权利要求1所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜，其特征在于，所述的空心SiO₂纳米颗粒溶胶中空心SiO₂纳米颗粒的粒径为20～100nm，壁厚为5～20nm。

4.根据权利要求1所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜，其特征在于，所述的介质薄膜层由溶胶A成膜得到，所述的溶胶A为单组分溶胶或为杂化溶胶。

5.根据权利要求4所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜，其特征在于，单组份溶胶A选自酸催化SiO₂溶胶、酸催化Al₂O₃溶胶、酸催化TiO₂溶胶、酸催化ZrO₂溶胶中的至少一种；

杂化溶胶A由空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶经杂化处理制得，空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶的质量比为0.1～1:1。

6.一种根据权利要求1～5任一权利要求所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)制备溶胶A；

(2)将空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶混合，经杂化处理后得到溶胶B；

所述溶胶B中空心SiO₂纳米颗粒溶胶与纳米粘结剂溶胶的质量比为1:0～1；

(3)在光伏玻璃基底的一侧依次涂覆溶胶A和溶胶B，再继续生长透明导电氧化物，得到所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜。

7.根据权利要求6所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的空心SiO₂纳米颗粒溶胶通过以下方法制备得到：

(1-1)将一水合氨、聚丙烯酸分散到去离子水中，得到混合溶液Ⅰ；

(1-2)依次将混合溶液Ⅰ和正硅酸四乙酯加入无水乙醇中，得到混合溶液Ⅱ，经搅拌得到空心SiO₂纳米颗粒溶胶；

所述混合溶液Ⅱ中正硅酸四乙酯、去离子水、一水合氨、乙醇及聚丙烯酸的摩尔比为1：30～100：15～40：400～800：0.01～0.03。

8.根据权利要求6所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的纳米粘结剂溶胶为无机纳米粘结剂溶胶或有机纳米粘结剂溶胶；

所述的无机纳米粘结剂溶胶为酸催化SiO₂粘结剂溶胶、酸催化Al₂O₃粘结剂溶胶、酸催化TiO₂粘结剂溶胶或酸催化ZrO₂粘结剂溶胶；

所述的有机纳米粘结剂溶胶为γ-氨丙基三乙氧基硅烷/醇溶液或3-氯丙基三甲氧基硅烷/醇溶液。

9.根据权利要求6所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的透明导电氧化物包括硼掺杂氧化锌或氟掺杂二氧化锡。

10.根据权利要求6所述的可同时实现减反和多结构陷光的薄膜的制备方法，其特征在于，(3)中，涂覆方式包括浸渍-提拉法、旋涂法、辊涂法、超声喷涂法中的一种或两种；

生长方式包括低压或常压化学气相沉积技术、磁控溅射技术、电子束蒸发技术的一种或多种。