[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层和背电极层，其特征在于：还包括隧穿整流层，所述隧穿整流层设置于所述前电极层和半导体层之间，或者隧穿整流层设置于所述半导体层和背电极层之间，或者隧穿整流层同时设置于前电极层和半导体层之间，以及半导体层和背电极层之间；

所述隧穿整流层为多层结构，隧穿整流层的多层结构中的每层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种；

所述薄膜太阳能电池为碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、铜锌硒硫薄膜太阳能电池、钙钛矿型薄膜太阳能电池和有机薄膜太阳能电池中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金属氧化物为氧化铝、氧化硅、氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化亚锡、氧化亚铜、氧化铜、氧化铪、氧化锆中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金属氮化物为氮化铝、氮化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金属硫化物为硫化铜、硫化亚铜、铜铝硫、锌镉铜硫中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金属氟化物为氟化钙、氟化钠中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述隧穿整流层的厚度为0.1nm-50nm。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述隧穿整流层的厚度为0.5nm-20nm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述隧穿整流层采用原子层沉积、物理气相沉积、脉冲激光沉积、化学气相沉积和旋涂法中的至少一种方法制备。

9.根据权利要求8所述的制备方法制备的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述隧穿整流层为原子层沉积制备的金属氧化层，所述金属氧化层具体为氧化铝层、氧化镍层、氧化铜层或氧化钛层，所述金属氧化层的厚度为0.1nm-50nm。

10.根据权利要求8所述的制备方法制备的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述隧穿整流层为旋涂法制备的硫化铜层或硫铜镉层，所述硫化铜层或硫铜镉层的厚度为0.1nm-50nm。