[发明专利]一种开机浪涌电流抑制电路及具有该电路的电源

权利要求书

1.一种开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括：分压支路，积分支路和开关支路；

所述分压支路用于将电源Vcc的电压依次通过所述积分支路、开关支路接入到后级电路中；

所述积分支路用于根据所述分压支路的分压状态控制，确定所述开关支路的开关时间；

所述开关支路用于根据所述积分支路确定的开关时间，打开或者断开开关。

2.根据权利要求1所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述分压支路包括：第一电阻R1和第二电阻R2；

所述第一电阻R1一端接负载及信号输入端Vin，另一端分别接所述第二电阻R2，所述积分支路以及所述电源Vcc；

所述第二电阻R2另一端接地。

3.根据权利要求2所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述积分支路包括：第一电容C1；

所述第一电容C1一端接所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端，另一端接地。

4.根据权利要求3所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述开关支路包括：第一开关管Q1；

所述第一开关管Q1管脚G接所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接端；

所述第一开关管Q1管脚D接所述负载；

所述第一开关管Q1管脚S接地。

5.根据权利要求4所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述第一电阻，所述第二电阻R2为表贴电阻或者薄膜电阻；

所述第一电容C1为表贴电容或者薄膜电容。

6.根据权利要求5所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述薄膜电阻和所述薄膜电容的薄膜材料采用氮化钽材料。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述第一开关管Q1采用增强型N沟道MOSFET管。

8.根据权利要求7所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述第一开关管采用增强型N沟道MOSFET管IRHNA67260系列。

9.根据权利要求8所述的开机浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述积分支路确定所述开关管导通电压通过以下一阶电路的零状态响应，调整所述第二电阻R2和所述第一电容C1来控制实现；

uc=US×(1-e-tτ)]]>

所述U_S为分压后电压,时间常数τ＝R2*C1，U_C为三极管导通电压；

公式中，电阻单位为欧姆(Ω)、电压单位为福特(V)、电流单位为安培(A)。

10.一种电源，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任意一项所述开机浪涌电流抑制电路。