[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

驱动电路，所述驱动电路包括第一晶体管；和

像素，所述像素包括像素电极层和第二晶体管，

所述第一晶体管包括：

栅电极层；

位于所述栅电极层上方的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；

氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的侧表面；以及

位于所述氧化物绝缘层上方的源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层与所述氧化物半导体层电连接，

其中所述像素电极层位于所述第一晶体管上方。

2.一种半导体装置，包括：

驱动电路，所述驱动电路包括第一晶体管；和

像素，所述像素包括像素电极层和第二晶体管，

所述第一晶体管包括：

栅电极层；

位于所述栅电极层上方的第一栅极绝缘层；

位于所述第一栅极绝缘层上方的第二栅极绝缘层；

位于所述第二栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；

氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的侧表面；以及

位于所述氧化物绝缘层上方的源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层与所述氧化物半导体层电连接，

其中所述第一栅极绝缘层包含氮化物，

其中所述第二栅极绝缘层包含氧化物，并且

其中所述像素电极层位于所述第一晶体管上方。

3.一种半导体装置，包括：

驱动电路，所述驱动电路包括第一晶体管；和

像素，所述像素包括像素电极层和第二晶体管，

所述第一晶体管包括：

栅电极层；

位于所述栅电极层上方的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；

氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的侧表面，并且与所述氧化物半导体层重叠；

位于所述氧化物绝缘层上方的源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层与所述氧化物半导体层电连接；

导电层，所述导电层位于所述氧化物绝缘层上方，并且与所述栅电极层重叠；以及

位于所述导电层上方的绝缘层，

其中所述导电层与所述栅电极层电连接以具有相同的电位，并且其中所述像素电极层位于所述绝缘层上方。

4.一种半导体装置，包括：

驱动电路，所述驱动电路包括第一晶体管；和

像素，所述像素包括像素电极层和第二晶体管，

所述第一晶体管包括：

栅电极层；

位于所述栅电极层上方的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；

位于所述氧化物半导体层上方的第一氧化物导电层和第二氧化物导电层；

氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层覆盖所述第一氧化物导电层和所述第二氧化物导电层的每个侧表面，并且与所述氧化物半导体层重叠；

位于所述氧化物绝缘层上方的源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层与所述氧化物半导体层电连接；

导电层，所述导电层位于所述氧化物绝缘层上方，并且与所述栅电极层重叠；以及

位于所述导电层上方的绝缘层，

其中所述导电层与所述栅电极层电连接以具有相同的电位，并且

其中所述像素电极层位于所述绝缘层上方。

5.按照权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。

6.按照权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括微晶。

7.按照权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中所述源电极层和所述漏电极层都包括选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的一种元素作为主要成分，或这些元素中的任意元素组合的叠层。

8.按照权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，还包括电容器部，

其中所述电容器部包括电容器布线层和与所述电容器布线层重叠的电容器电极层，并且

其中所述电容器布线层和所述电容器电极层都具有透光性。

9.按照权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体装置是触摸显示器。