[发明专利]一种AgBi(WO4)2的简便制备方法

说明书

技术领域

本发明提出一种AgBi(WO₄)₂的简便制备方法，属于无机材料合成领域。

背景技术

半导体材料由于在环境净化、太阳能以及光制氢中的广泛应用得到了人们的密切关注。近年来，我们研究小组发现，AgBi(WO₄)₂作为一种半导体材料，与Bi₂WO₆复合后，可以获得高效的可见光催化性能。然而，有关AgBi(WO₄)₂纯物质的制备方法非常欠缺，目前报道只有一篇高温固相的方法(P.V.Klevtsov,A.P.Perepelitsa and R.F.Klevtsova,Zh.Neorg.Khim.,1983,28,645-649)，需要700摄氏度以上的高温煅烧十几个小时以上，耗能大、耗时长。因此，开发更加温和简便的制备方法，对于获得AgBi(WO₄)₂纯物质、拓展其应用是重要的。

经过长期的实验探索，本发明提出了一种简便的AgBi(WO₄)₂制备方法，目前无任何相关研究报道。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AgBi(WO₄)₂制备方法，本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

将10mmol硝酸银溶解在30mL的氢氧化钠溶液(1mM)中，滴加40mL 2％的氨水溶液，搅拌30min，得到溶液A；在含有10mmol的硝酸铋的烧杯中加入10mL 36％的乙酸溶液，搅拌30min，得到溶液B；将50mL NaOH滴加入30mL含有20mmol钨酸钠的水溶液中，搅拌30min，随后将溶液A和B同时滴加入上述溶液中，有白色沉淀生成；搅拌1小时后将得到的沉淀洗涤，烘干，在400℃下煅烧5小时，粉末为AgBi(WO₄)₂。

本发明的显著特点：

(1)AgBi(WO₄)₂纯度高，无银单质和钨酸铋杂质。

(2)AgBi(WO₄)₂制备方法简便，相比高温固相法，温度低、耗时少，节能环保，所需原料对环境友好，合成方法简单。

附图说明

图1为本发明所得产品的XRD图谱，与标准卡片PDF 37-0102完全吻合。