[发明专利]半导体器件的蜂窝布局

权利要求书

1.一种系统，包括：

半导体器件单元，设置在碳化硅(SiC)半导体层的表面，其中所述半导体器件单元包括：

　　漂移区，具有第一导电类型；

　　阱区，具有第二导电类型，设置成与所述漂移区相邻；

　　源区，具有所述第一导电类型，设置成与所述阱区相邻；

　　沟道区，具有所述第二导电类型，设置成与所述源区相邻并且接近所述表面；以及

　　体接触件区，具有所述第二导电类型，设置在所述阱区的一部分之上，其中所述体接触件区没有在所述半导体器件单元中居中；以及

　　分段源和体接触件(SSBC)，设置在所述表面的一部分之上，其中所述SSBC包括：

　　　　体接触件部分，设置在所述体接触件区之上；以及

　　　　源接触件部分，设置成与所述体接触件区相邻并且在所述源区的一部分之上，其中所述源接触件部分没有由所述SSBC的所述体接触件部分完全包围。

2.如权利要求1所述的系统，其中，所述SSBC具有少于与所述表面垂直的对称的两个不同镜平面。

3.如权利要求1所述的系统，其中，所述源接触件部分的第一节段沿所述体接触件部分的第一侧设置。

4.如权利要求1所述的系统，其中，所述SSBC的所述体接触件部分的至少一侧设置成接近没有设置在所述SSBC之下的所述源区的一部分。

5.如权利要求1所述的系统，其中，所述体接触件区基本上是菱形形状。

6.如权利要求1所述的系统，其中，所述体接触件区基本上是方形形状。

7.如权利要求1所述的系统，其中，所述半导体器件单元包括场晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、绝缘基MOS控制晶闸管(IBMCT)、结型场效应晶体管(JFET)或者金属半导体场效应晶体管(MESFET)。

8.一种系统，包括：

蜂窝半导体器件布局，包括设置在碳化硅(SiC)半导体层的表面的多个半导体器件单元，其中所述多个蜂窝半导体器件单元各包括：

　　漂移区，具有第一导电类型；

　　阱区，具有第二导电类型，设置成与所述漂移区相邻，其中所述阱区包括设置成接近所述表面的体接触件区；

　　源区，具有所述第一导电类型，设置成与所述阱区相邻，其中所述源区包括设置成接近所述表面并且接近所述体接触件区的源接触件区；以及

　　不对称分段源和体接触件(SSBC)，设置在所述表面的一部分之上，其中所述不对称SSBC包括：

　　　　体接触件部分，设置在所述半导体器件单元的所述体接触件区之上；以及

　　　　源接触件部分，设置成与所述体接触件部分相邻并且在所述半导体器件单元的所述源接触件区之上，其中所述不对称SSBC的所述源接触件部分没有完全包围所述不对称SSBC的所述体接触件部分。

9.如权利要求8所述的系统，其中，所述蜂窝半导体器件布局配置成使得(2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于(2L_ch+W_JFET)或者使得(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_ohm)大于W_JFET或者其组合，其中L_ch是沟道长度，L_ch-to-ohm是欧姆区的长度，W_ohm是所述欧姆区的宽度，以及W_JFET是所述多个蜂窝半导体器件单元的JFET区的宽度。

10.如权利要求8所述的系统，其中，所述蜂窝半导体器件布局配置成使得((4L_ch-to-ohm+W_n+W_p+W_ohm)·(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_n+W_p+W_JFET))大于(2·(2L_ch-to-ohm+W_n+W_p)·(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_ohm+W_JFET))或者使得((4L_ch+4L_ch-to-ohm+W_n+W_p+W_ohm)·(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_n+W_p+W_JFET))大于(2(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_n+W_p)·(2L_ch+2L_ch-to-ohm+W_ohm+W_JFET))或者其组合，其中L_ch是所述沟道长度，L_ch-to-ohm是所述欧姆区的长度，W_ohm是所述欧姆区的宽度，W_n是所述源接触件区的宽度，W_p是所述体接触件区的宽度，以及W_JFET是所述多个蜂窝半导体器件单元的JFET区的宽度。