[发明专利]一种PLC波导与红外接受器垂直集成的晶圆加工工艺有效
| 申请号： | 201510353426.X | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105044860A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 叶旻 | 申请（专利权）人： | 湖南晶图科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/12 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410200 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 plc 波导 红外 接受器 垂直 集成 加工 工艺 | ||
1.一种PLC波导与红外接受器垂直集成的晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在PLC波导靠近输出端的覆盖层表面加工凹槽I，凹槽I位于波导芯正上方；
(2)在凹槽I底部沉积光感应层；
(3)在光感应层及覆盖层表面沉积保护层I，并在凹槽I底部两端的保护层I表面各加工一个凹槽II；
(4)在凹槽II底部及保护层I表面沉积金属层，并将金属层加工成电极金属引线；
(5)在电极金属引线及保护层I表面沉积保护层II，并加工接线口。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的PLC波导衬底厚度为15～20微米，覆盖层厚度为15～20微米，波导芯宽度为5～8微米，厚度为5～7微米。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的PLC波导具有至少8个输出通道。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的凹槽I底部与波导芯的垂直距离为1～2微米。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的凹槽I底部与波导平行，凹槽I底部宽度为25～35微米，长度为100～150微米。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的光感应层厚度为0.1～1微米。
7.根据权利要求1或6所述的工艺，其特征在于，所述的光感应层由红外光敏材料锗复晶构成。
8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的保护层I厚度为0.5～1微米。
9.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的保护层II厚度为0.5～1微米。
10.根据权利要求1、8或9所述的工艺，其特征在于，所述的保护层I和保护层II各自独立地选自SiO2或SiN材料。
11.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的金属层由铝构成。
12.根据权利要求1或11所述的工艺，其特征在于，所述的金属层厚度为2000～2500埃。
13.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述的凹槽II底部为暴露的光感应层。
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