[发明专利]苯乙烯基吡啶盐衍生物及使用该衍生物的非线性光学材料有效
| 申请号： | 201510353768.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105272974B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 青木一良;冈田修司 | 申请（专利权）人： | 爱科来株式会社;国立大学法人山形大学 |
| 主分类号： | C07D413/10 | 分类号： | C07D413/10;C07D213/38;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 盛曼;金龙河<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 苯乙烯 吡啶 衍生物 使用 非线性 光学材料 | ||
1.一种下述通式(I)表示的苯乙烯基吡啶盐衍生物，
式中，R1、R2、R3、R4各自独立地表示氢、卤素、未取代的碳原子数1～10的烷基、羟基、羧基或者氨基，
R5表示氢或者未取代的碳原子数1～10的烷基，
X表示氧或NR6，其中R6为氢或者未取代的碳原子数1～10的烷基，
Y-表示选自由磺酸根阴离子、羧酸的阴离子、硫酸氢根离子、硝酸根离子、四氟硼酸根离子、高氯酸根离子、高溴酸根离子和高碘酸根离子组成的组中的阴离子，
通式(I)中，轻氢的一部分或全部可以被取代为重氢。
2.一种下述通式(II)表示的苯乙烯基吡啶盐衍生物，
式中，R1、R2各自独立地表示氢或者未取代的碳原子数1～10的烷基，
X表示氧或NR6，其中R6为氢或者未取代的碳原子数1～10的烷基，当X为氧时，R1和R2为未取代的碳原子数1～10的烷基，
Y-表示选自由卤素原子的阴离子、磺酸根阴离子、羧酸的阴离子、硫酸氢根离子、硝酸根离子、四氟硼酸根离子、高氯酸根离子、高溴酸根离子和高碘酸根离子组成的组中的阴离子，
通式(II)中，轻氢的一部分或全部可以被取代为重氢。
3.如权利要求1所述的苯乙烯基吡啶盐衍生物，其中，R1、R2各自独立地表示氢或者未取代的碳原子数1～10的烷基，R3和R4表示氢，R5表示甲基。
4.如权利要求1～3中任一项所述的苯乙烯基吡啶盐衍生物，其中，Y-为磺酸根阴离子。
5.如权利要求4所述的苯乙烯基吡啶盐衍生物，其中，Y-为苯磺酸根阴离子。
6.如权利要求5所述的苯乙烯基吡啶盐衍生物，其中，所述苯磺酸根阴离子选自下述结构式所示的阴离子，
式中，Z表示卤素。
7.一种下述式(III)表示的苯乙烯基吡啶盐衍生物，
8.一种非线性光学材料，其含有权利要求1～7中任一项所述的苯乙烯基吡啶盐衍生物。
9.一种光源装置，其利用权利要求8所述的非线性光学材料作为光波长转换元件。
10.一种太赫兹波产生装置，其包含权利要求8所述的非线性光学材料。
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