[发明专利]一种MEMS谐振结构的加工方法

权利要求书

1.一种MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于,包括以下步骤：

步骤S1、提供硅晶圆作为衬底硅，在所述衬底硅的表面生长第一掩膜层；

步骤S2、在所述第一掩膜层上加工开口图样；

步骤S3、去除与所述开口图样对应部分的所述第一掩膜层以及所述衬底硅，在所述衬底硅上形成凹槽结构；

步骤S4、生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；

步骤S5、刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除，而衬底硅表面以及凹槽侧壁仍有掩膜层覆盖；

步骤S6、再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，形成第二级凹槽，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；

步骤S7、通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；

步骤S8、淀积下电极、压电功能材料以及上电极；

步骤S9、图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构；

所述步骤S7还包括：

步骤S71、湿法刻蚀完成后，清除之前所有掩膜层结构；

步骤S72、在所述衬底硅的所有表面重新均匀的生长一层或多层谐振结构频率温度漂移补偿材料层。

2.根据权利要求1所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，步骤S9中所述图形化具体包括：

步骤S91、图形化上电极；

步骤S92、图形化压电功能材料；

步骤S93、图形化下电极；

步骤S94、图形化谐振结构。

3.根据权利要求1所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，所述开口图样为多组，每组所述开口图样中两图形尺寸相同，不同组所述开口图样图形尺寸不同。

4.根据权利要求3所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，同时刻蚀多组所述开口图样，使多组所述开口图样形成不同深度的凹槽结构。

5.根据权利要求4所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，所述刻蚀采用深反应离子刻蚀(DRIE)。

6.根据权利要求1所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，所述开口图样为多组，每组所述开口图样中图形尺寸相同，不同组所述开口图样图形尺寸相同。

7.根据权利要求6所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，在对其中一组所述开口图样进行刻蚀的过程中，采用保护材料保护晶圆上的其它图样位置，避免其发生刻蚀。

8.根据权利要求7所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，所述保护材料为光刻胶。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的MEMS谐振结构的加工方法，其特征在于，所述衬底硅采用〈111〉晶向的硅晶圆，所述掩膜层采用氧化硅材料，所述湿法刻蚀采用氢氧化钾(KOH)或者四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀溶液。