[发明专利]一种螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201510353880.5 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105040096B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 简基康;程章勇;郭洁 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/40;C30B29/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 刘媖 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 螺旋状 gan 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种螺旋状GaN单晶纳米线的制备方法，其特征在于：利用化学气相沉积法制备；采用金属Ga和NH3气分别作为Ga源和N源， MoCl5作为Mo源，具体方法包括如下步骤：
（1）称取金属Ga 盛放在陶瓷舟中，将其置于水平管式炉的中间部位，按摩尔比Mo/Ga=0.15～0.20称取MoCl5 盛放在陶瓷舟中，置于距中心温区20～30cm的上游位置，同时在距中心温区下游20～25cm位置处放置已镀金处理的Si衬底，密封水平管式炉；
（2）启动真空系统，炉内真空度至1×10-3 Pa时，通入Ar气，加热至940～1050℃，保温0.5～2小时，所述Ar气的气流速率为10～80sccm，NH3气气流速率为15～100 sccm，同时扭开氨气气流阀通入NH3气，反应进行1～2h后，断开氨气并冷却至室温，最后在Si衬底上收集一层沉积物，即为螺旋状GaN单晶纳米线。
2.一种螺旋状GaN单晶纳米线，其特征在于：利用权利要求1所述方法制备得到。
3.根据权利要求2所述的一种螺旋状GaN单晶纳米线，其特征在于：螺旋状GaN单晶纳米线呈现螺旋状外形，并且是单晶结构。
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