[发明专利]一种PPTC芯片及其制法

权利要求书

1.一种PPTC芯材，其特征在于，包括以体积百分比计的以下组分：

结晶性聚烯烃聚合物 35-60％；

导电填料 35-60％；

增塑剂 0.5-5％；

所述导电填料采用导电金属粉和/或导电陶瓷粉；

所述增塑剂采用聚酰胺改性PE蜡、PP蜡、聚酰胺蜡、聚α-烯烃改性马来酸酐蜡和微粉化聚四氟乙烯蜡中的一种或几种的组合。

2.一种PPTC芯片，其特征在于，采用根据权利要求1所述的PPTC芯材制成。

3.一种PPTC芯材制法，包括步骤：

S1：配料步骤，将原料混合均匀，所述原料包括以体积百分比计的以下组分：

结晶性聚烯烃聚合物 35-60％；

导电填料 35-60％；

增塑剂 0.5-5％；

所述导电填料采用导电金属粉和/或导电陶瓷粉；

所述增塑剂采用聚酰胺改性PE蜡、PP蜡、聚酰胺蜡、聚α-烯烃改性马来酸酐蜡和微粉化聚四氟乙烯蜡中的一种或几种的组合；

S2：混合后的原料经一双螺杆挤出机抽真空挤出获得挤出料；

S3：开炼获得芯材。

4.根据权利要求3所述的PPTC芯材制法，其特征在于：所述S2步骤的挤出温度为180-220℃。

5.根据权利要求3所述的PPTC芯材制法，其特征在于，所述S3步骤进一步包括步骤：

粉碎所述挤出料；

将一固定质量的粉碎后的挤出料倒入开炼机，温度130-150℃，预热时间5-15分钟，拉出后形成所述芯材。

6.一种PPTC芯片制法，包括步骤：

S4：将基于权利要求3至5任一项所述的PPTC芯材制法所制备得到的芯材与一面粗化的镀镍铜箔复合；

S5：冲切复合后的所述芯材；

S6：热处理步骤。

7.根据权利要求6所述的PPTC芯片制法，其特征在于，所述S4步骤进一步包括步骤：

对所述芯材进行整形；

用一面粗化的镀镍铜箔对整形后的所述芯材进行复合，复合温度180-190℃，复合压力100-500bar。

8.根据权利要求6所述的PPTC芯片制法，其特征在于，所述热处理温度为80-120℃。