[发明专利]层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201510355697.9 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105206514A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 氧化物 材料 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括以下步骤：
在基底组件上形成氧化物组分；
通过热处理形成从所述氧化物组分上表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在所述基底组件表面正上方留有非晶组分；且
在所述第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。
2.一种用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括以下步骤：
在基底组件上形成氧化物组分；
通过热处理形成从所述氧化物组分上表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在所述基底组件表面正上方留有非晶组分；且
将使用与所述第一氧化物结晶组分相同的材料形成的并引起共晶生长的第二氧化物结晶组分层叠在所述第一氧化物结晶组分上。
3.一种用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括以下步骤：
在基底组件上形成氧化物组分；
通过热处理形成从所述氧化物组分上表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在所述基底组件表面正上方留有非晶组分；且
将使用与所述第一氧化物结晶组分不同的材料形成的并引起异晶生长的第二氧化物结晶组分层叠在所述第一氧化物结晶组分上。
4.如权利要求1所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，在氮气氛、氧气氛、或干燥空气气氛中，在高于或等于450℃且低于或等于850℃的温度处执行所述热处理。
5.如权利要求2所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，在氮气氛、氧气氛、或干燥空气气氛中，在高于或等于450℃且低于或等于850℃的温度处执行所述热处理。
6.如权利要求3所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，在氮气氛、氧气氛、或干燥空气气氛中，在高于或等于450℃且低于或等于850℃的温度处执行所述热处理。
7.如权利要求1所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，所述第一氧化物结晶组分和所述第二氧化物结晶组分中的每一个c-轴对齐地垂直于所述第一氧化物结晶组分的表面。
8.如权利要求2所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，所述第一氧化物结晶组分和所述第二氧化物结晶组分中的每一个c-轴对齐地垂直于所述第一氧化物结晶组分的表面。
9.如权利要求3所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，所述第一氧化物结晶组分和所述第二氧化物结晶组分中的每一个c-轴对齐地垂直于所述第一氧化物结晶组分的表面。
10.如权利要求1所述的用于制造层叠的氧化物材料的方法，其特征在于，用溅射法形成所述氧化物组分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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