[发明专利]一种具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构在审
| 申请号： | 201510355999.6 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106328784A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 梁庆荣;林政志;曾颀尧;韦春余 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发光 多量 过渡 led 外延 结构 | ||
【说明书】：
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