[发明专利]一种晶硅薄膜的转移制备方法

权利要求书

1.一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一：在单晶硅衬底上通过CVD外延工艺以及掺杂工艺制备高杂质浓度的脆化层；

步骤二：在脆化层上面通过低温热丝化学气相沉积工艺制备具有完整晶格结构的晶硅薄膜；

步骤三：通过对脆化层的退火处理使脆化层断裂，实现晶硅薄膜与衬底之间的弱连接；

步骤四：在晶硅薄膜表面制备具有粘附性的聚合物薄膜；

步骤五：基于聚合物薄膜的粘附性以及经退火处理后的脆化层的连接力弱化，将晶硅薄膜从单晶硅衬底转移到聚合物薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤一中在脆化层的晶化率大于60%。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤一中在脆化层制备过程中利用掺杂工艺掺杂杂质离子，杂质离子掺杂的剂量不低于10E15cm^-3。

4.根据权利要求3所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，所述的杂质离子为氢、硼、氮、氧、磷、铝、硫、碳、镁的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤一中的脆化层为单层或多层。

6.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤二中晶硅薄膜增加掺杂工艺。

7.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤二中晶硅薄膜为多层材料构成的复合功能晶硅薄膜结构或器件结构。

8.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤三中的退火温度高于100℃。

9.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤四中聚合物薄膜为聚酰亚胺、PMMA、聚苯乙烯、聚丙乙烯的任意一种。

10.根据权利要求1所述的一种晶硅薄膜的转移制备方法，其特征在于，步骤四中的聚合物薄膜为多种材料构成的复合聚合物薄膜。