[发明专利]一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，其特征在于，该方法通过对表面易氧化的金属薄膜进行氧化形成氧化层，刻蚀去除氧化层，反复进行氧化和刻蚀，最终得到需要厚度的超薄金属膜。

2.根据权利要求1所述的一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，其特征在于，所述表面易氧化的金属薄膜为钛或铝薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上制备金属薄膜；

使金属薄膜生成表面氧化层；

③反应离子刻蚀表面氧化层；

方阻测试监测刻蚀后的金属薄膜厚度

⑤重复~，直至获得所需厚度的超薄金属膜；

⑥清洗去除刻蚀后残留物。

4.根据权利要求1所述的一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

在制备金属薄膜前，先清洗衬底表面，去除表面沾污，并对衬底进行200℃下烘烤，除去表面的水汽；

采用磁控溅射法制备金属薄膜，调节工艺参数，控制薄膜膜厚为20nm~50nm；

③将金属薄膜放置于空气中，放置时间为0.5~10分钟，金属薄膜表面氧化，生成表面氧化层，氧化层厚度为0.5nm~5nm；

采用反应离子刻蚀法刻蚀去除金属薄膜表面氧化层，刻蚀气体中活性刻蚀剂为BCl₃和Cl₂；中性气体N₂或CH₄，设置BCl₃和Cl₂的流量比为10:30~90：10，射频功率为20~200W，反应室压力为2~10Pa，金属氧化层的刻蚀速率1~20nm/min，根据金属氧化层厚度和刻蚀工艺参数控制刻蚀时间，将金属薄膜表面氧化层刻蚀去除；

⑤将金属薄膜取出，进行方阻测试，监测刻蚀后的金属薄膜厚度；

⑥重复③~⑤，直至获得所需厚度的超薄金属膜；

⑦清洗超薄金属膜，去除刻蚀后残留物。