[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，能够沿划分器件的分割预定线可靠地分割在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low‑k膜)等功能层的晶片。晶片的层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法包含：激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽从而沿着分割预定线割断功能层；以及改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，对通过层叠于基板的正面的功能层而形成有器件的晶片沿着对器件进行划分的多条分割预定线进行分割。

背景技术

如本领域技术人员公知的那样，在半导体器件制造工序中形成有如下的半导体晶片：在硅等基板的正面上通过层叠有绝缘膜与功能膜的功能层而矩阵状地形成多个IC、LSI等器件。对于这样形成的半导体晶片而言，上述器件被分割预定线划分，通过沿着该分割预定线进行分割来制造出各个半导体器件。

最近，为了提高IC、LSI等半导体器件的处理能力，实用化如下方式的半导体晶片：在硅等基板的正面上通过层叠有由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜或者作为聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜构成的低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)的功能层来形成半导体器件。

通常借助被称为切割机(dicer)的切削装置来进行沿着这样的半导体晶片的分割预定线而进行的分割。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削机构，其用于切削保持于该卡盘工作台的半导体晶片；以及移动机构，其使卡盘工作台与切削机构相对移动。切削机构包含高速旋转的旋转主轴以及安装于该主轴的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基座以及安装于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃是通过电铸将例如粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定而形成的。

但是，上述的Low-k膜难以通过切削刀具来切削。即，存在下述问题：由于Low-k膜像云母一样非常脆，因此如果通过切削刀具沿分割预定线进行切削，则Low-k膜会发生剥离，该剥离到达器件，会对器件造成致命的损伤。

另一方面，近年来，作为对半导体晶片等板状的被加工物进行分割的方法，也尝试了如下的激光加工方法：利用对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准要分割的区域的内部并照射脉冲激光光线。使用该激光加工方法的分割方法从被加工物的一个面侧将聚光点定位于内部并照射对于被加工物具有透过性的红外光区域的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿分割预定线连续形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，而分割被加工物(例如，参照专利文献1)。

但是，即使使用上述的激光加工方法分割在正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)的晶片，也不能沿分割预定线可靠地分割。即，即使从晶片的一个面侧使聚光点对准内部并照射对于晶片具有透过性的红外光区域的脉冲激光光线，从而在晶片的内部沿分割预定线形成改质层之后沿分割预定线施加外力，也不能使低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)等功能层可靠地断裂。此外，即使晶片沿分割预定线断裂，也存在功能层剥离而使各个分割后的器件的品质下降的问题。

为了解决上述的问题，提出了如下技术：沿分割预定线照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，进行烧蚀加工而形成激光加工槽从而去除功能层，此后，从基板的背面侧将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的内部并进行照射，从而在基板的内部沿分割预定线形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力而分割晶片(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献1：日本特开2012-89709号公报

发明内容