[发明专利]垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器及调制方法

权利要求书

1.一种垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器，其特征在于该光子晶体太赫兹波调制器包括二维三角晶格结构硅光子晶体(1)、波导区(2)、点缺陷谐振腔(3)；其中，二维三角晶格结构硅光子晶体(1)是沿X—Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体；在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的两端引入对称的线缺陷构成波导区(2)，然后在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的中心处采用磁控可调谐材料锑化铟构造圆形介质柱，形成点缺陷谐振腔(3)，太赫兹波沿x方向从波导区(2)的左端输入，波导区(2)的右端输出；外加磁场在X—Z平面内沿Z方向施加到圆形点缺陷谐振腔(3)上，其方向与太赫兹波传输方向垂直。

2.根据权利要求1所述的一种垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器，其特征在于所述外加磁场由通电螺线管提供。

3.一种如权利要求1所述的一种垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器的调制方法，其特征在于:所述的调制器通过控制外加磁场的磁场强度，引起点缺陷填充的磁控可调谐材料锑化铟的等效折射率发生磁光效应，使光子晶体中心点缺陷处谐振的缺陷模发生动态变化，进而实现对太赫兹波的通、断调制，实现了把信号加载到太赫兹波上。