[发明专利]制造嵌段共聚物的方法和由其制造的物品有效
申请号: | 201510359073.4 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN105278240B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | J·J·张;P·D·赫士德;P·特雷福纳斯三世;M·李;V·V·金兹伯格;J·D·魏因霍尔德 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/00 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 江磊;陈哲锋 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 共聚物 方法 物品 | ||
1.一种物品,其包含:
衬底;在所述衬底上安置有一种组合物,所述组合物包含:
第一嵌段共聚物,所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段;其中所述第一嵌段的表面能比所述第二嵌段高;
第二嵌段共聚物,所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段;其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似,并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上相同或类似;其中以总固体计,所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比;其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04;
其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态;其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态;并且其中所述第一形态和所述第二形态不同;以及
第一聚合物,所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
2.根据权利要求1所述的物品,其中所述第一聚合物是均聚物或无规共聚物。
3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其进一步包含第二聚合物;其中所述第二聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上相同或类似;其中所述第二聚合物不同于所述第一聚合物。
4.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段包含聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烃、聚丙烯酸、聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醚、聚乙烯硫醚、聚乙烯醇、聚脲、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基咪唑)、聚(乙烯基吡唑)、或其组合。
5.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段包含聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯,并且其中所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段包含聚二甲基硅氧烷。
6.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其中所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段包含由式(1)表示的结构
其中每一个R独立地是C1-C10烷基、C3-C10环烷基、C6-C14芳基、C7-C13烷基芳基或C7-C13芳基烷基,并且其中式(1)中的聚合度n是10到5,000。
7.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其中所述组合物包含圆柱形和/或片层状结构域,并且在浇筑于衬底上并且在高于玻璃化转变温度并低于无序-有序转变温度和分解温度的温度下退火之后,域间间距小于或等于25纳米。
8.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的物品,其中所述物品包含:
厚度为Ta的第一区,所述第一区包含垂直于所述衬底表面安置并且接触所述衬底的交替结构域;和
厚度为Tb的第二区,所述第二区包含有包含两个结构域的单层;其中所述单层实质上平行于所述衬底表面取向,以使得所述第一区和所述第二区的总厚度为Tc;并且其中所述第二区的至少一层接触空气,同时所述第二区的所述结构域中的至少一者直接接触所述第一区;其中所述第一区与所述第二区的厚度之间的关系由方程式(1)表示:
Ta=Tc-KLo (1)
其中Lo是所述第一区中连续结构域之间的间距,并且其中K是值为0.3到0.6的常数。
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