[发明专利]微机械传感器装置

权利要求书

1.一种微机械传感器装置(300)，其具有：

MEMS元件(100)；

ASIC元件(200)，其中，在所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间构造键合结构(70)，所述MEMS元件(100)具有：

具有交替重叠布置的隔离层(11，21)和功能层(10，20，30)的层布置，其中，在所述功能层(10，20，30)的至少一个中构造有能够在检测方向(z)上移动的检测元件(22)；

其中，借助另一功能层(40)构造间距元件，所述间距元件用于构造所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间的所限定的间距；

其特征在于，在所述检测元件(22)上布置具有所述间距元件和第一键合层(50)的止挡元件，其中，在所述止挡元件的止挡区域中在所述ASIC元件(200)上布置隔离层(IMD5)，其中，在所述第一键合层(50)和所述ASIC元件(200)的隔离层(IMD5)之间的残留缝隙(61)小于第二功能层(20)和第三功能层(30)之间的缝隙(23)。

2.根据权利要求1所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，所述检测元件(22)具有垂直于所述检测方向(z)构造的区段(22a)。

3.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，其具有至少一个与所述检测元件共同作用的电极(12，32)。

4.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，所述间距元件具有多晶硅层。

5.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，所述间距元件的第一键合层(50)由以下中的一个组成：锗、铝、金属。

6.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，在止挡方向(z)上与所述止挡元件相对置地在所述ASIC元件(200)上布置氧化物材料。

7.根据权利要求1或2所述的微机械传感器装置(300)，其特征在于，所述检测元件(22)构造在单独的功能层(10，20，30)中。

8.一种用于制造微机械传感器装置(300)的方法，所述方法具有以下步骤：

提供MEMS元件(100)；

提供ASIC元件(200)；

在所述MEMS元件(100)中构造检测元件(22)，其中，在所述检测元件(22)上布置止挡元件，其中，在用于所述止挡元件的止挡区域中在所述ASIC元件(200)上构造隔离层，其中，在第一键合层(50)和所述ASIC元件(200)的隔离层(IMD5)之间的残留缝隙(61)小于第二功能层(20)和第三功能层(30)之间的缝隙(23)；

在所述MEMS元件(100)和所述ASIC元件(200)之间构造键合结构(70)。