[发明专利]一种荧光识别氰根离子的传感器分子及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201510363273.7 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN104892469A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 张有明;吴红平;蔡毅;王芹芹;林奇;姚虹;魏太保 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: C07C309/46 分类号: C07C309/46;C07C303/22;C09K11/06;G01N21/64
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 张英荷
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 荧光 识别 离子 传感器 分子 及其 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种荧光识别氰根离子传感器分子,其结构式如下:

                                                。

2.如权利要求1所述荧光识别氰根离子传感器的制备方法,是以邻羟基萘甲醛和对肼基苯磺酸为底物,对甲苯磺酸为催化剂,乙醇为溶剂,于75~80℃下搅拌反应6~8h,反应溶液呈棕黄色,冷却,抽滤,水洗,干燥,得到黄色目标产物。

3.如权利要求2所述荧光识别氰根离子传感器的制备方法,其特征在于:底物邻羟基萘甲醛和对肼基苯磺酸的摩尔比为1:1.2~1:1.5。

4.如权利要求2所述荧光识别氰根离子传感器的制备方法,其特征在于:催化剂对甲苯磺酸的用量为反应底物邻羟基萘甲醛和对肼基苯磺酸摩尔总量的0.15~0.2倍。

5.如权利要求1所述荧光识别氰根离子传感器在检测氰根离子中的应用。

6.如权利要求5所述荧光识别氰根离子传感器在检测氰根离子中的应用,其特征在于:在传感器分子的DMSO/H2O溶液中,分别加入F-、Cl-、Br-、I-、AcO-、H2PO4-、HSO4-、ClO4-、CN-和SCN-;若溶液在紫外灯下发出显著的蓝色荧光,则加入的是CN-;若溶液在紫外灯下没有荧光产生,则加入的不是CN-

7.如权利要求6所述荧光识别氰根离子传感器在检测氰根离子中的应用,其特征在于:DMSO/H2O溶液中,DMSO与H2O的体积比为1: 3.5~1: 4。

8.一种负载有如权利要求1所述荧光识别氰根离子传感器的氰根离子检测试纸。

9.如权利要求8所述的氰根离子检测试纸在识别氰根离子中的应用,其特征在于:在检测试纸上分别滴加F-、Cl-、Br-、I-、AcO-、H2PO4-、HSO4-、CN-、ClO4-和SCN-,若试纸在紫外灯下呈绿色荧光,则加入的是CN-;若试纸在紫外灯下没有荧光产生,则加入的不是CN-

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