[发明专利]过压保护部件

说明书

本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。

优先权请求

本申请要求享有2014年6月26日提交的法国专利申请号1455999的优先权权益，该申请的公开内容在此通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种针对过压进行保护的部件。

背景技术

针对过压进行保护的部件是当其上的电压超过给定阈值时导通的部件，给定阈值称作击穿电压、并且通常标注为V_BR。保护部件例如是穿通类型。

穿通保护部件的缺点在于：如果其上的电压使得流过其中的电流变得小于保持电流Ih，则它们仅恢复关断。已经提供了通过只要过压结束则短路它们而使得这些部件恢复关断的装置。该保护装置描述在2013年3月29日提交的法国专利申请号13/52864(通过引用并入本文)中。

发明内容

一个实施例提供了一种包括垂直肖克利(Shockley)二极管的部件，该部件从顶部至底部包括第一导电类型的第一区域，第二导电类型的衬底，具有在其中形成的第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域，该部件进一步包括第一垂直晶体管，该晶体管从顶部至底部包括由垂直壁与肖克利二极管分离的所述衬底的一部分，第二区域的一部分，与第三区域性质相同的、形成在第二区域的所述部分中的第四区域，第三区域连接至第四区域。

根据一个实施例，部件进一步包括与第一晶体管结构相同的第二晶体管。

根据一个实施例，第一晶体管位于包含肖克利二极管的芯片的角部处。

另一实施例提供了一种保护系统，包括诸如以上所述的部件，与肖克利二极管并联连接的开关，具有连接至第一晶体管的上主端子的第一端子的电阻器，以及连接至所述电阻器的第二端子的电压源，第一晶体管的上主端子连接至开关的控制和检测的电路。

根据一个实施例，开关被控制为根据在第一晶体管的上主端子与第三区域之间的电压而导通和关断。

根据一个实施例，系统进一步包括与第一晶体管结构相同的第二晶体管，以及具有连接至第二晶体管的上主端子的第一端子并且具有连接至电压源的第二端子的第二电阻器，第二晶体管的上主端子连接至开关的控制和检测的电路。

根据一个实施例，开关被控制为根据以根据在第一晶体管的上主端子与第三区域之间的第一电压而导通，并且开关被控制为根据以根据在第二晶体管的上主端子与第三区域之间的第二电压而关断。

附图说明

将结合附图在具体实施例的以下非限定性描述说明中讨论前述和其他特征和优点，其中：

图1示出了将电源连接至由保护装置所保护的负载的电源线的示例；

图2是示出了针对过压进行保护的部件的一个实施例的截面图及其电路图；

图3是图2截面图中所示部件的俯视图；

图4是保护装置的实施例的电路图；

图5是示出了在过压期间图4的过压保护装置中电流和电压的时序图；

图6是过压保护装置的一个备选实施例的电路图；

图7示出了在过压结束时的图6的过压保护装置中电流和电压的时序图；以及

图8是在图2和图3中以简化方式示出的部件的一个实际实施例的截面图。