[发明专利]一种平板显示器的阵列扫描控制电路有效
申请号: | 201510364089.4 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104900179B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 赖熙元 | 申请(专利权)人: | 重庆市中光电显示技术有限公司;河源中光电通讯技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 401125 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平板 显示器 阵列 扫描 控制电路 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域,特别是涉及一种阵列扫描控制电路。
背景技术
平板显示器是目前显示装置的主流产品,而阵列扫描控制电路广泛应用于平板显示器的驱动电路中。阵列扫描控制电路具有存储和移位功能,通过扫描线依次产生扫描信号并输出到像素电路的栅极,实现逐行选通的功能。
现有技术的一种常规驱动电路中的阵列扫描控制电路的电路如图1所示,该阵列扫描控制电路以每四个阵列扫描控制单元为一组,每组结构相同,为了简化结构,该图只画出了该阵列扫描控制电路的第一组的电路图,即前四级阵列扫描控制单元的电路图,包括:第一级阵列扫描控制单元11、第二级阵列扫描控制单元12、第三级阵列扫描控制单元13和第四级阵列扫描控制单元14。从图中可以看出,该阵列扫描控制电路有4个输入时钟信号(电源电压VDD和输入起始脉冲信号Start除外),使时序比较复杂。第一时钟信号CLK1和第三时钟信号CLK3以交差法的方式连接到第一级阵列扫描控制单元11和第三阵列扫描控制单元13,而第二时钟信号CLK2和第四时钟信号CLK4以交差法的方式连接到第二级阵列扫描控制单元12和第四阵列扫描控制单元14,这样使结构比较复杂,会增加电路在布局布线时的难度。为了增加阵列扫描控制单元输出端的驱动能力,晶体管T5和晶体管T6必须要承受较大的电流,而PMOS(Positivechannel Metal Oxide Semiconductor,P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)的空穴迁移率比电子迁移率低,所以T5和T6的的导电沟道宽度较大,其宽度一般约为数千微米,并且每个阵列扫描控制单元由6个PMOS管组成,而这会使电路面积增大。总的来说,该阵列扫描控制电路会增加成本,成品率低。
另外,经过分析,该图的阵列扫描控制电路在第4M+1和4M+2单元出现问题(M是正整数)。以第5个阵列扫描控制单元为例,第一时钟信号CLK1第一次为低电平时,该单元的输出端OUT5应为高电平,但实际上不是。因为这时第5单元的T5和T6截止,相当于两个电阻对VDD与CLK1的电势差的分压,导致输出电压被拉低,使该行提前选通,造成数据混乱。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种阵列扫描控制电路,以克服现有技术中成本高、成品率低、易造成数据混乱的缺陷。
为达到上述目的,本发明的技术方案提供一种阵列扫描控制电路,所述电路包括多级阵列扫描控制单元,所述的多级阵列扫描控制单元包括:
一第一晶体管,具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级,其中,该第一级晶体管的第一源/漏级连接前一级的阵列扫描控制单元的输出信号;
一第二晶体管,具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级,其中,该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接一时钟信号,该第二晶体管的第一源/漏级连接一低电平电压;
一第三晶体管,具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级,其中,该第三晶体管的第一源/漏级连接该第二晶体管的第二源/漏级;
一第四晶体管,具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级,其中,该第四晶体管的栅级连接该第一晶体管的第二源/漏级,该第四晶体管的第一源/漏级连接另一时钟信号;以及
一第五晶体管,具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级,其中,该第五晶体管的栅级连接该第二晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的第一源/漏级,该第五晶体管的第一源/漏级、第四晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的栅级连接该级阵列扫描控制单元的输出端,该第五晶体管的第二源/漏级和该第三晶体管的第二源/漏级连接一高电平电压。
其中,在所述多级阵列扫描控制单元的一第奇数级阵列扫描控制单元中,该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接第一时钟信号,该第四晶体管的第一源/漏级连接第二时钟信号。
其中,当该阵列扫描控制单元为第一级阵列扫描控制单元时,该级的第一晶体管的第一源/漏极连接一输入起始脉冲信号。
其中,在所述多级阵列扫描控制单元的一第偶数级阵列扫描控制单元中,该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接第二时钟信号,该第四晶体管的第一源/漏级连接第一时钟信号。
其中,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管为PMOS晶体管。
其中,该电路的每级阵列扫描控制单元由5个PMOS晶体管构成。
其中,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管为TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)。
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