[发明专利]一种限流电阻器及其成膜方法、制作方法

权利要求书

1.一种限流电阻器的成膜方法，其特征在于，包括：

步骤1：采用磁控溅射方法在瓷棒上溅射电阻膜层，且在溅射过程中通入氧气与氩气；

步骤2：将溅射上电阻膜层的瓷棒放置于温度为350℃～450℃的环境中进行热处理；

步骤3：采用刻直槽或不刻槽的方式对电阻膜层进行调阻；所述刻直槽是指沿着瓷棒径向在电阻膜层上刻出一条直槽。

2.根据权利要求1所述的一种限流电阻器的成膜方法，其特征在于，所述瓷棒的直径为1.7mm，长为5.2mm；或者所述瓷棒的直径为2.5mm，长为8.0mm；或者所述瓷棒的直径为3mm，长为11mm；或者所述瓷棒的直径为4.5mm，长为17mm；所述瓷棒采用800℃～1100℃的高温煅烧工艺制成。

3.根据权利要求2所述的一种限流电阻器的成膜方法，其特征在于，在步骤1中，所述溅射过程持续8小时～15小时。

4.根据权利要求2所述的一种限流电阻器的成膜方法，其特征在于，在步骤2中，将瓷棒放置于温度为350℃～450℃的环境中4小时～6小时。

5.一种限流电阻器的制作方法，其特征在于，采用权1～4中任意一项所述的方法完成电阻膜的成膜工艺步骤。

6.根据权利要求5所述的一种限流电阻器的制作方法，其特征在于，在成膜工艺步骤之后还包括老练步骤：先对成品电阻进行脉冲老练，然后进行交流高压老练；或者先对成品电阻进行交流高压老练，然后进行脉冲老练。

7.根据权利要求6所述的一种限流电阻器的制作方法，其特征在于，所述脉冲老练时采用的脉冲电压为持续时间为5分钟；所述交流高压老练时采用的电压为持续时间为5分钟；其中P为限流电阻器的额定功率，R为限流电阻器的阻值。

8.根据权利要求6所述的一种限流电阻器的制作方法，其特征在于，在所述老练步骤之后还包括温度冲击筛选步骤：

将成品电阻置于-65℃及125℃更替的温度环境中，待温度更替若干次后剔除失效的成品电阻。

9.一种限流电阻器，包括瓷棒，瓷棒上覆盖有电阻膜层，瓷棒两端分别加盖有端帽，两端的端帽上连接有引出线，在电阻最外层覆盖有阻燃保护层，其特征在于，所述电阻膜层通过权利要求1或3或4中任意一项所述的成膜方法形成于瓷棒上。

10.根据权利要求9所述的一种限流电阻器，其特征在于，所述瓷棒的直径为1.7mm，长为5.2mm；或者所述瓷棒的直径为2.5mm，长为8.0mm；或者所述瓷棒的直径为3mm，长为11mm；或者所述瓷棒的直径为4.5mm，长为17mm；所述瓷棒采用800℃～1100℃的高温煅烧工艺制成。