[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，导电性能稳定。一种薄膜晶体管，包括：源漏金属层图案，还包括：位于所述源漏金属层图案之上的金属保护层图案，所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性。本发明适用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板和显示装置的制作。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置。

背景技术

金属铜(Cu)具有低电阻、导电性好的特点，在高分辨率的TFT-LCD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)中有着广泛的应用。

TFT-LCD一般包括对盒的彩膜基板和阵列基板，如图1所示，阵列基板包括栅极10、栅绝缘层20、有源层30、源极40和漏极50。其中，铜作为电极材料形成源极40和漏极50。但是铜容易被氧化，从而影响其导电性能，进而影响TFT-LCD的性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法、显示装置，该薄膜晶体管的源极和漏极不易被氧化，导电性能稳定。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案；

一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：源漏金属层图案，还包括：位于所述源漏金属层图案之上的金属保护层图案，所述金属保护层图案与所述源漏金属层图案相接触、位于所述源漏金属层图案所在区域内，且所述金属保护层图案的材料的金属活泼性大于所述源漏金属层图案的材料的金属活泼性。

可选的，所述金属保护层图案的边界与所述源漏金属层图案的边界重合。

可选的，所述源漏金属层图案的材料为铜或铜合金，所述金属保护层图案的材料为铝。

可选的，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述源漏金属层图案之下的有源层图案；

刻蚀阻挡层图案；所述刻蚀阻挡层图案位于所述有源层图案与所述源漏金属层图案之间，且与所述有源层图案相接触。

可选的，所述有源层图案的材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锌锡氧化物或氮氧化锌。

本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，进而使得该薄膜晶体管具有稳定的导电性能。

另一方面，提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的薄膜晶体管。

可选的，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管之上的钝化层，所述钝化层与所述金属保护层图案相接触，且所述钝化层与所述金属保护层图案设置有过孔。

本发明的实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的薄膜晶体管包括位于源漏金属层图案之上的金属保护层图案，金属保护层图案与源漏金属层图案相接触、位于源漏金属层图案所在区域内；当该阵列基板的薄膜晶体管置于有氧环境中，由于金属保护层图案的材料的金属活泼性大于源漏金属层图案的材料的金属活泼性，则金属保护层图案会先于源漏金属层图案与氧发生反应，从而保护位于其下方且相接触的源漏金属层图案，尽可能避免源漏金属层图案被氧化，进而使得该阵列基板的薄膜晶体管具有稳定的导电性能。